特許

J-GLOBAL ID：201803004967195830

半導体装置用ボンディングワイヤ

発明者： 宇野 智裕 ,  萩原 快朗 ,  小山田 哲哉 ,  小田 大造
出願人/特許権者： 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社
代理人 (3件)： 吉田 正義 ,  今枝 弘充 ,  梅村 裕明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-260563
公開番号（公開出願番号）：特開2015-119004
特許番号：特許第6254841号
出願日： 2013年12月17日
公開日（公表日）： 2015年06月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】金属Mを50mol%超含む芯材と、 前記芯材の表面に形成され、Ni、Pd、前記金属M及び不可避不純物からなり、前記Niの濃度が15〜80mol%である中間層と、 前記中間層上に形成され、Ni、Pd、Au及び不可避不純物からなり、前記Pdの濃度が50〜100mol%である被覆層と、 前記被覆層上に形成され、AuとPdを含む合金からなり、前記Auの濃度が10〜70mol%、AuとPdの合計濃度が80mol%以上である表面層と を備え、 前記金属MがCu又はAgであり、 前記被覆層のNi濃度が前記中間層のNi濃度よりも低く、 前記被覆層のAu濃度が前記表面層のAu濃度よりも低い ことを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。

IPC (4件)：

H01L 21/60 ( 200 6.01) ,  C22C 9/06 ( 200 6.01) ,  C22C 5/06 ( 200 6.01) ,  C22C 5/08 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/60 301 F ,  C22C 9/06 ,  C22C 5/06 Z ,  C22C 5/08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置用ボンディングワイヤ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-170489   出願人：新日鉄住金マテリアルズ株式会社