特許
J-GLOBAL ID：201803005087687640
光電子デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
岡部 讓
, 吉澤 弘司
, 三村 治彦
, 久保田 智樹
, 岡部 洋
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-545233
公開番号（公開出願番号）：特表2018-506377
出願日： 2016年02月25日
公開日（公表日）： 2018年03月08日
要約：
光電子デバイスは半導体光増幅器SOAを含む光電子要素のマトリックスを含み、前記半導体光増幅器SOAは、p-ドープ窒化ガリウムの基板に複数のInGaN/GaAsN又はInGaN/AlGaN量子ウェルを有する窒化ガリウムGaNの活性層を含み、n-ドープ窒化ガリウムの層で被覆される。p-ドープ窒化ガリウムGaN基板は、生体適合性材料における絶縁体の層で被覆されたp-GaNのカラムを形成する。デバイスは、異なる高さの複数の電子要素を有するマトリックスを含み得る。光電子要素は、フォトダイオード又は半導体光増幅器SOAであればよい。この光電子デバイスは、網膜上又は網膜下の人工器官に使用され得る。単一の網膜上又は網膜下の人工器官には、フォトダイオードのマトリックス及び半導体光増幅器SOAのマトリックスを含むことができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体光増幅器SOAを含む光電子要素のマトリックスを含む人工網膜であって、前記半導体光増幅器SOAが、p-ドープ窒化ガリウムGaNの基板に複数のInGaN/GaAsN(窒化インジウム-ガリウム/窒化ヒ素-ガリウム)又はInGaN/AlGaN(窒化インジウム-ガリウム/窒化アルミニウム-ガリウム)量子ウェルを有する窒化ガリウムGaNの活性層を含み、n-ドープ窒化ガリウムGaNの層で被覆された、人工網膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
A61F2/14
, A61F9/007 190A
4C097AA24
, 4C097BB01
, 4C097CC02
, 4C097CC20
