特許
J-GLOBAL ID：200903049611870579
面発光半導体デバイスの製造方法、この方法によって製造された面発光半導体デバイス及びこのデバイスを用いた表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-229383
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154774
出願日： 1998年07月30日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】面発光半導体デバイスを簡単に、高い歩留まりで製造する方法である。【解決手段】面発光半導体デバイスの製造方法において、半導体から成る第1の基板上に、電流が供給されることによって発光する半導体活性層3を含む半導体層1〜5をエピタキシャル成長させ、半導体活性層3に電流を供給するための電極7、8を形成し、半導体層が形成された第1の基板を、第2の基板12に、半導体層が内側となるように貼り合せ、貼り合わされた基板から、第2の基板12上に半導体層を残して第1の基板を除去する。
請求項（抜粋）：
面発光半導体デバイスの製造方法であって、半導体から成る第1の基板上に、電流が供給されることによって発光する半導体活性層を含む半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、前記半導体活性層に電流を供給するための電極を形成する工程と、前記半導体層が形成された第1の基板を、第2の基板に、半導体層が内側となるように貼り合せる工程と、貼り合わされた基板から、第2の基板上に半導体層を残して第1の基板を除去する工程を有することを特徴とする面発光半導体デバイスの製造方法。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, G09F 9/33
, H01L 27/12
, H01L 33/00
H01S 3/18
, G09F 9/33 D
, H01L 27/12 B
, H01L 33/00 N
