半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-001019
公開番号（公開出願番号）：特開2018-087992
出願日： 2018年01月09日
公開日（公表日）： 2018年06月07日
要約：

【課題】画素電極と同じ導電層で形成されるバックゲートに印加される閾値電圧のシフトを抑制するための電圧による、液晶材料の劣化を抑制する。【解決手段】液晶層に電界を印加するための画素電極を有する画素回路と、第1のゲートと、画素電極と同じ層に設けられた第2のゲートと、が半導体膜を挟んで対向するように設けられたトランジスタを有し、且つトランジスタが液晶層と重畳して設けられた駆動回路と、を備え、第1のゲートには、トランジスタの導通状態または非導通状態を制御するための信号が入力され、第2のゲートには、ゲート線選択期間において第1の電圧を印加する信号が入力され、垂直帰線期間において第1の電圧及び第2の電圧を交互に印加する信号が入力される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート線駆動回路と、第1の配線と、第2の配線と、を有し、前記ゲート線駆動回路は、トランジスタを有し、前記トランジスタは、ゲート電極と、酸化物半導体膜と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜との間のゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記酸化物半導体膜は、第1の酸化物半導体膜と、前記第1の酸化物半導体膜上の第2の酸化物半導体膜と、を有し、前記第1の酸化物半導体膜は、Inと、Gaと、Znと、を有し、前記第2の酸化物半導体膜は、Inと、Gaと、Znと、を有し、前記第1の酸化物半導体膜は、前記第2の酸化物半導体膜と異なる結晶性を有し、前記第1の酸化物半導体膜、又は、前記第2の酸化物半導体膜の一方は、c軸配向性を有し、前記第1の配線は、前記ゲート線駆動回路にクロック信号を入力する機能を有し、前記第2の配線は、前記ゲート電極に第1の電圧と、前記第1の電圧よりも大きい第2の電圧と、を入力する機能を有し、前記クロック信号が入力されているときに、前記ゲート電極に前記第1の電圧が入力され、前記クロック信号が入力されていないときに、前記ゲート電極に前記第2の電圧が入力されることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

G09G 3/36 , H01L 29/786 , G02F 1/133 , G09G 3/20 , G09F 9/30

FI (16件)：

G09G3/36 , H01L29/78 612B , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/78 620 , H01L29/78 617T , G02F1/133 550 , G09G3/20 612K , G09G3/20 680G , G09G3/20 621M , G09G3/20 670J , G09G3/20 670K , G09G3/20 621B , G09G3/20 622E , G09F9/30 338 , G09F9/30 348A

Fターム (136件)：

2H193ZA04 , 2H193ZB02 , 2H193ZC25 , 2H193ZF22 , 2H193ZF23 , 2H193ZQ06 , 2H193ZQ11 , 5C006AA16 , 5C006AA22 , 5C006AC25 , 5C006AC26 , 5C006AF44 , 5C006AF51 , 5C006AF68 , 5C006AF69 , 5C006AF72 , 5C006AF73 , 5C006BA19 , 5C006BB16 , 5C006BC02 , 5C006BC03 , 5C006BC20 , 5C006BF03 , 5C006BF15 , 5C006BF24 , 5C006BF34 , 5C006BF42 , 5C006EB05 , 5C006FA16 , 5C006FA33 , 5C006FA38 , 5C006FA51 , 5C006FA55 , 5C006GA03 , 5C080AA10 , 5C080AA13 , 5C080BB05 , 5C080CC03 , 5C080DD09 , 5C080DD18 , 5C080DD19 , 5C080DD25 , 5C080DD27 , 5C080DD29 , 5C080EE01 , 5C080EE19 , 5C080EE29 , 5C080FF03 , 5C080FF11 , 5C080GG02 , 5C080GG05 , 5C080GG08 , 5C080JJ02 , 5C080JJ03 , 5C080JJ04 , 5C080JJ06 , 5C080KK04 , 5C080KK07 , 5C080KK43 , 5C080KK49 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094DA15 , 5C094DB01 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094HA07 , 5C094HA08 , 5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110AA14 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN28 , 5F110NN44 , 5F110NN45 , 5F110NN46 , 5F110NN47 , 5F110PP03 , 5F110QQ17

引用特許：

審査官引用 (3件)

液晶表示装置、走査線駆動回路および電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-237005 出願人：エプソンイメージングデバイス株式会社
酸化物半導体膜、および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-221574 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置の駆動方法、及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-004551 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

前のページに戻る