特許
J-GLOBAL ID：201803006303162414
抵抗性ランダムアクセスメモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
杉村 憲司
, 岡野 大和
, 鈴木 俊樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-076465
公開番号（公開出願番号）：特開2016-225605
特許番号：特許第6242934号
出願日： 2016年04月06日
公開日（公表日）： 2016年12月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、
前記基板の上に配置されたトランジスタと、
前記基板の上に配置され、前記トランジスタのソース/ドレインに電気接続された下部電極と、
前記下部電極の上に配置された複数の上部電極と、
前記下部電極と前記複数の上部電極の間にそれぞれ配置されて、前記下部電極に直接に接する複数の抵抗スイッチング層と、
前記複数の抵抗スイッチング層と前記複数の上部電極の間にそれぞれ配置されて、前記複数の上部電極および前記複数の抵抗スイッチング層に直接に接する複数の電流制限層と、
を含む抵抗性ランダムアクセスメモリ。
IPC (5件)：
H01L 21/8239 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 45/00 ( 200 6.01)
, G11C 13/00 ( 200 6.01)
, H01L 49/00 ( 200 6.01)
H01L 27/105 448
, H01L 45/00 Z
, G11C 13/00 215
, H01L 49/00 Z
