特許
J-GLOBAL ID：201803006342088850
拡散バリア層によって改善された気密性を有するマイクロエレクトロニクスデバイスのパッケージ構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-536619
特許番号：特許第6254700号
出願日： 2013年12月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 パッケージ構造(100)であって、
少なくとも1つのマイクロエレクトロニクスデバイス(104)が配設されている、少なくとも1つの密封シールされたキャビティ(102)であって、当該キャビティ(102)が、基板(106)と、SiO2またはSiNのいずれかを主成分とする少なくとも1つのキャップ層(108)との間に形成されており、当該キャップ層を貫通する複数の放出孔(110)が形成されているキャビティと、
前記複数の放出孔(110)の各々の上および周囲の前記キャップ層(108)上に配設され、前記複数の放出孔(110)の各々を個々に密封封栓する分離された複数の金属材料部分(120)と、
前記キャップ層(108)上に配設され、少なくとも前記複数の放出孔(110)の周囲で前記キャビティ(102)の外部の雰囲気に対して拡散バリアを形成する、セラミック材料および酸化物の少なくとも1つを含む非金属材料から成る、少なくとも1つの拡散バリア層(114)と、
を備え、
前記拡散バリア層(114)の複数の部分が前記複数の金属材料部分(120)によって覆われていないことを特徴とするパッケージ構造。
IPC (2件)：
B81B 3/00 ( 200 6.01)
, B81C 1/00 ( 200 6.01)
