特許
J-GLOBAL ID：201003038183592444

ゲッタ材料によりマイクロ電子デバイスを封入する方法

発明者：
ステファン・キャプレット

ステファン・キャプレット について

, 
ザヴィエル・バイリン

ザヴィエル・バイリン について

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ジャン-ルイ・ポルナン

ジャン-ルイ・ポルナン について


出願人/特許権者：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク

コミツサリア タ レネルジー アトミーク について


代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-155859
公開番号（公開出願番号）：特開2010-034547
出願日： 2009年06月30日
公開日（公表日）： 2010年02月12日
要約：
【課題】ゲッタ材料によりマイクロ電子デバイスを封入する方法を提供する。【解決手段】基板102上に配置されているマイクロ電子デバイス100を封入する方法であって、a)マイクロ電子デバイス100の少なくとも一部を覆う犠牲材料を形成し、該犠牲材料の一部分の体積が、デバイス100が封入されることになるキャビティ114の少なくとも一部を形成することになる空間を占めるステップと、b)少なくとも1つのゲッタ材料を基礎とする層108を蒸着させて、犠牲材料の一部分の少なくとも一部を覆うステップと、c)少なくともゲッタ材料層108を貫通する少なくとも1つの開口部112を形成して、犠牲材料の一部分への進入路を形成するステップと、d)開口部112を経由して犠牲材料の一部分を除去して、マイクロ電子デバイス100が封入されるキャビティ114を形成するステップと、e)キャビティ114を密閉するステップと、を含む。【選択図】図1E
請求項（抜粋）：
基板(102)上に配置されているマイクロ電子デバイス(100)を封入する方法であって、少なくとも a)前記マイクロ電子デバイス(100)の少なくとも一部を覆う犠牲材料の一部分(104)を形成するステップであって、該犠牲材料の一部分の体積が、前記デバイス(100)が封入されることになるキャビティ(114、114a)の少なくとも一部を形成することになる空間を占めるステップと、 b)少なくとも1つのゲッタ材料を基礎とする層(108)を蒸着させて、前記犠牲材料の一部分(104)の少なくとも一部を覆うステップと、 c)少なくとも前記ゲッタ材料層(108)を貫通する少なくとも1つの開口部(112、112a)を形成して、前記犠牲材料の一部分(104)への進入路を形成するステップと、 d)前記開口部(112、112a)を経由して前記犠牲材料の一部分(104)を除去して、前記マイクロ電子デバイス(100)が封入される前記キャビティ(114、114a)を形成するステップと、 e)前記キャビティ(114、114a)を密閉するステップと を含む、方法。
IPC (4件)：
H01L 23/26 ,  H01L 37/00 ,  H01L 23/02 ,  B81C 1/00
FI (4件)：
H01L23/26 ,  H01L37/00 ,  H01L23/02 G ,  B81C1/00
Fターム (16件)：
2G065AB02 ,  2G065BA01 ,  2G065BA14 ,  2G065BA38 ,  2G065DA20 ,  3C081AA17 ,  3C081BA30 ,  3C081CA03 ,  3C081CA13 ,  3C081CA27 ,  3C081CA29 ,  3C081DA22 ,  3C081DA41 ,  3C081DA45 ,  3C081EA01 ,  3C081EA02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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