特許
J-GLOBAL ID：201803006553847765

半導体装置

発明者：
鈴木 幸恵

鈴木 幸恵 について

, 
及川 欣聡

及川 欣聡 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-089942
公開番号（公開出願番号）：特開2018-152581
出願日： 2018年05月08日
公開日（公表日）： 2018年09月27日
要約：
【課題】開口率が高く、且つ電荷容量を増大させることが可能な容量素子を有する半導体装置において、コストを削減することが可能な作製方法を提供する。または、消費電力を低減する可能な半導体装置において、コストを削減することが可能な作製方法を提供する。【解決手段】、トランジスタと容量素子とを同時に作製する方法であって、多階調フォトマスクを用いた工程により、トランジスタに含まれるチャネル領域を有する金属酸化物膜及びチャネル保護膜と、容量素子の一方の電極とを形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
絶縁表面上のゲート電極と、 前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上の第1の金属酸化物膜第2の金属酸化物膜と、 前記第1の金属酸化物膜上及び前記第2の金属酸化物膜上の第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上の第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜上の一対の電極と、 前記一対の電極の一方に接続し、且つ前記第2の金属酸化物膜の一部と重なる、透光性を有する導電膜と、を有し、 前記第1の絶縁膜は、前記第1の金属酸化物膜より小さく、 前記第2の絶縁膜は、前記第1の金属酸化物膜の上面及び前記第2の金属酸化物膜の上面に接する領域を有し、 前記一対の電極はそれぞれ、前記第2の絶縁膜に設けられた開口部により前記第1の金属酸化物膜に接し、 前記第2の金属酸化物膜の一部は、容量素子の一方の電極として機能し、 前記透光性を有する導電膜の一部は、前記容量素子の他方の電極として機能することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H01L 27/32
FI (9件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616V ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H01L27/32
Fターム (104件)：
2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192CB56 ,  2H192CB72 ,  2H192CC17 ,  2H192CC57 ,  2H192DA24 ,  2H192DA44 ,  2H192EA74 ,  2H192HA44 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC14 ,  3K107CC36 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107FF15 ,  3K107HH05 ,  5C094AA22 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA75 ,  5C094DA13 ,  5C094FB19 ,  5C094HA08 ,  5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HJ30 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ02
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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