特許

J-GLOBAL ID：201803006758107063

熱電変換材料、およびその製造方法、並びに熱電変換素子

発明者： 黒崎 健 ,  清水 和都
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学
代理人 (4件)： 植木 久一 ,  植木 久彦 ,  菅河 忠志 ,  伊藤 浩彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-085572
公開番号（公開出願番号）：特開2018-186136
出願日： 2017年04月24日
公開日（公表日）： 2018年11月22日
要約：

【課題】熱電変換材料としてシリコンを用いるにあたり、熱電変換効率を高めた熱電変換材料、および該熱電変換材料を含む熱電変換素子を提供する。また、上記熱電変換材料を製造する方法を提供する。【解決手段】Siを含有する熱電変換材料であって、ドーパントをドープしたMg2Siを含み、且つナノ組織を有する熱電変換材料。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

Siを含有する熱電変換材料であって、 ドーパントをドープしたMg2Siを含み、且つ ナノ組織を有することを特徴とする熱電変換材料。

IPC (6件)：

H01L 35/26 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/34 ,  C01B 33/06 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00

FI (6件)：

H01L35/26 ,  H01L35/14 ,  H01L35/34 ,  C01B33/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Fターム (23件)：

4G072AA01 ,  4G072AA20 ,  4G072BB02 ,  4G072BB11 ,  4G072BB12 ,  4G072DD06 ,  4G072DD07 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ07 ,  4G072JJ09 ,  4G072MM02 ,  4G072MM38 ,  4G072MM40 ,  4G072NN02 ,  4G072RR12 ,  4G072RR21 ,  4G072TT01 ,  4G072TT02 ,  4G072TT30 ,  4G072UU30