特許
J-GLOBAL ID：201803006892794891

成膜装置および成膜方法

発明者：
家近 泰

家近 泰 について

, 
早野 貴憲

早野 貴憲 について

, 
高橋 英志

高橋 英志 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (6件)： 永井 浩之 ,  中村 行孝 ,  佐藤 泰和 ,  朝倉 悟 ,  関根 毅 ,  赤岡 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-005160
公開番号（公開出願番号）：特開2018-166204
出願日： 2018年01月16日
公開日（公表日）： 2018年10月25日
要約：
【課題】基板の温度を正確に制御することができ、生産性を向上させることができる成膜装置を提供する。【解決手段】基板Wを収容し該基板ごとに成膜処理を行う成膜室2と、基板上にガスを供給するガス供給部3と、基板を加熱するヒータ7と、成膜室に設けられた窓2aと、窓を介して基板の温度を測定する放射温度計10と、基板の温度と相関のあるパラメータを取得するパラメータ取得部12と、パラメータの初期値からの変動に基づいて基板の温度を補正する補正部と、基板の温度、または補正された基板の温度に基づいてヒータを制御する制御部11と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を収容し該基板ごとに成膜処理を行う成膜室と、 前記基板上にガスを供給するガス供給部と、 前記基板を加熱するヒータと、 前記成膜室に設けられた窓と、 前記窓を介して前記基板の温度を測定する放射温度計と、 前記基板の温度と相関のあるパラメータを取得するパラメータ取得部と、 前記パラメータの初期値からの変動に基づいて前記基板の温度を補正する補正部と、 前記基板の温度、または補正された前記基板の温度に基づいて前記ヒータを制御する制御部と、 を備える成膜装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/52 ,  C30B 25/14 ,  C30B 25/16
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16
Fターム (47件)：
4G077AA03 ,  4G077DB01 ,  4G077DB11 ,  4G077EG11 ,  4G077EG16 ,  4G077EG21 ,  4G077EG22 ,  4G077EH06 ,  4G077EH10 ,  4G077TA04 ,  4G077TA11 ,  4G077TH06 ,  4G077TJ05 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA23 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EC03 ,  5F045EF05 ,  5F045EK03 ,  5F045EK07 ,  5F045EK13 ,  5F045GB01 ,  5F045GB17
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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