特許
J-GLOBAL ID：201803007187887313

半導体装置の製造方法

発明者：
中山 高志

中山 高志 について


出願人/特許権者：
オリンパス株式会社

オリンパス株式会社 について


代理人 (3件)： 伊藤 進 ,  長谷川 靖 ,  篠浦 治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-206592
公開番号（公開出願番号）：特開2015-072943
特許番号：特許第6315753号
出願日： 2013年10月01日
公開日（公表日）： 2015年04月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体ウエハに、複数の半導体回路を形成する工程と、 それぞれの前記半導体回路と接続されている導体層と、誘電率がシリコンよりも低い低誘電率材料からなる絶縁層とを含む複数の多層配線回路が形成される工程と、 前記半導体ウエハが、それぞれが半導体回路及び多層配線回路を含み、前記絶縁層が側面に露出している複数の半導体チップに個片化される工程と、 前記複数の半導体チップが、所定間隔で保持基板に接合された再配列基板が作製される工程と、 前記再配列基板の前記複数の半導体チップの隙間が、前記低誘電率材料よりも耐湿性に優れた、めっき法により形成される金属からなる保護材料で充填される工程と、 前記保護材料が側面に露出するように、前記隙間に沿って、前記隙間の幅よりも狭い切りしろで、前記再配列基板が切断される工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 23/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/522 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/318 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 23/00 C ,  H01L 21/90 J ,  H01L 21/88 S ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/316 M
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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