発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：松本昂 , 岡本知広 , 笠原崇廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-198428
公開番号（公開出願番号）：特開2018-060946
出願日： 2016年10月06日
公開日（公表日）： 2018年04月12日
要約：

【課題】十分な輝度が得られる発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップを提供することである。【解決手段】発光ダイオードチップの製造方法であって、結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、該積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、該ウエーハの裏面に各LED回路に対応して複数の凹部又は溝を形成するウエーハ裏面加工工程と、内部に複数の気泡が形成された透明基板を準備する透明基板準備工程と、該ウエーハ裏面加工工程を実施した後、該透明基板の表面にウエーハの裏面を貼着して一体化ウエーハを形成する一体化工程と、該ウエーハを該分割予定ラインに沿って該透明基板と共に切断して該一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

発光ダイオードチップの製造方法であって、結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、該積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、該ウエーハの裏面に各LED回路に対応して凹部又は溝を形成するウエーハ裏面加工工程と、内部に複数の気泡が形成された透明基板を準備する透明基板準備工程と、該ウエーハ裏面加工工程を実施した後、該透明基板の表面にウエーハの裏面を貼着して一体化ウエーハを形成する一体化工程と、該ウエーハを該分割予定ラインに沿って該透明基板と共に切断して該一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程と、を備えたことを特徴とする発光ダイオードチップの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/22 , H01L 21/301 , B24B 27/06 , B23K 26/364

FI (6件)：

H01L33/22 , H01L21/78 F , H01L21/78 Q , H01L21/78 B , B24B27/06 M , B23K26/364

Fターム (40件)：

3C158AA03 , 3C158AB01 , 3C158AB04 , 3C158AB09 , 3C158CA01 , 3C158DA17 , 4E168AD02 , 4E168AD18 , 4E168CB07 , 4E168DA04 , 4E168DA43 , 4E168JA13 , 4E168JA14 , 4E168JA15 , 4E168JA17 , 4E168JA27 , 5F063AA04 , 5F063BA11 , 5F063BA33 , 5F063BA43 , 5F063BA45 , 5F063BA47 , 5F063BA48 , 5F063BB01 , 5F063CA01 , 5F063CA04 , 5F063CB02 , 5F063CB07 , 5F063CB23 , 5F063CB28 , 5F063CC31 , 5F063DD27 , 5F063DD99 , 5F241AA03 , 5F241CA04 , 5F241CA40 , 5F241CA74 , 5F241CA75 , 5F241CA76 , 5F241CB33

引用特許：

審査官引用 (7件)

発光モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-149111 出願人：株式会社小糸製作所
発光素子および発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-069842 出願人：豊田合成株式会社
半導体発光装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-078346 出願人：株式会社東芝

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