特許
J-GLOBAL ID：201803007494822490
電解コンデンサ用電極箔の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人みのり特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-133136
公開番号（公開出願番号）：特開2018-006617
出願日： 2016年07月05日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：
【課題】真空引きプロセスを伴うドライ処理による残膜除去が不要で、紫外線照射または紫外線オゾン照射効果が高く、連続処理可能な電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。【解決手段】電極箔の表面に感紫外線化合物層を形成し、感紫外線化合物層の表面に、少なくともポリメタクリル酸エステルまたはポリアクリル酸エステルのいずれかを含む重合体の層を形成し、紫外線を照射して前記重合体の層からグラフト層を形成し、グラフト層の表面に熱可塑性高分子層を形成し、熱ナノインプリント法により熱可塑性高分子層に凹凸を形成し、凹部に残存する熱可塑性高分子層とグラフト層と感紫外線化合物層とを紫外線照射により酸化、または、紫外線オゾン照射により酸化および解重合し、凹部に対応する位置の電極箔をウェットエッチングし、電極箔上の感紫外線化合物層とグラフト層と熱可塑性高分子層とを除去する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
工程A:電極箔の表面に感紫外線化合物層を形成する工程と、
工程B:前記感紫外線化合物層の表面に、少なくともポリメタクリル酸エステルまたはポリアクリル酸エステルのいずれかを含む重合体の層を形成する工程と、
工程C:紫外線を照射して前記重合体の層からグラフト層を形成する工程と、
工程D:前記グラフト層の表面に熱可塑性高分子層を形成する工程と、
工程E:熱ナノインプリント法により前記熱可塑性高分子層に凹凸を形成する工程と、
工程F:前記凹凸形状の凹部に残存するグラフト層を紫外線照射により解重合、または紫外線オゾン照射により酸化および解重合する工程と、
工程G:前記凹部の底面に位置する電極箔をウェットエッチングする工程と、
工程H:前記電極箔上の感紫外線化合物層とグラフト層と熱可塑性高分子層とを実質的に除去する工程
を含むことを特徴とする電解コンデンサ用電極箔の製造方法。
IPC (3件)：
H01G 9/04
, H01G 9/00
, C23F 1/20
H01G9/04 304
, H01G9/24 B
, C23F1/20
4K057WA11
, 4K057WB05
, 4K057WE03
, 4K057WE08
, 4K057WG02
, 4K057WG03
, 4K057WN01
