特許

J-GLOBAL ID：201803007712664444

半導体膜の膜質評価方法、成膜装置、及び膜付き基材の製造方法

発明者： 齊藤 隆義
出願人/特許権者： 日本電気硝子株式会社
代理人 (2件)： 恩田 誠 ,  恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-252384
公開番号（公開出願番号）：特開2018-104765
出願日： 2016年12月27日
公開日（公表日）： 2018年07月05日
要約：

【課題】半導体膜を損傷させることのない、新規な半導体膜の膜質の評価方法を提供する。【解決手段】基材の表面に形成された半導体膜の放射率又は当該放射率に基づく放射率パラメータを測定し、測定された放射率又は放射率パラメータに基づいて半導体膜の膜質を評価する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基材の表面に形成された半導体膜の膜質評価方法であって、 前記半導体膜の放射率又は当該放射率に基づく放射率パラメータを測定し、測定された前記放射率又は前記放射率パラメータに基づいて前記半導体膜の膜質を評価することを特徴とする半導体膜の膜質評価方法。

IPC (2件)：

C23C 14/54 ,  C23C 16/52

FI (2件)：

C23C14/54 E ,  C23C16/52

Fターム (48件)：

4G059AA08 ,  4G059AC12 ,  4G059EA01 ,  4G059EA02 ,  4G059EA03 ,  4G059EB04 ,  4K029AA09 ,  4K029AA25 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DA03 ,  4K029GA01 ,  4K029JA10 ,  4K029KA03 ,  4K030BA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BA45 ,  4K030BA47 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030DA09 ,  4K030GA05 ,  4K030GA14 ,  4K030JA13 ,  4K030KA36 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F103AA08 ,  5F103BB54 ,  5F103DD30 ,  5F103HH01 ,  5F103KK10 ,  5F103NN10 ,  5F103RR04 ,  5G301AA11 ,  5G301AA20 ,  5G301AA23 ,  5G301AA27 ,  5G301AB20 ,  5G301AD10 ,  5G307GA08 ,  5G307GB02 ,  5G307GC02 ,  5G323AA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-239742
  
• 耐熱遮光フィルムの製造方法及び耐熱遮光フィルム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-160192   出願人：住友金属鉱山株式会社