特許
J-GLOBAL ID：201803007738751060

発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ

発明者：
岡村 卓

岡村 卓 について

, 
北村 宏

北村 宏 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (3件)： 松本 昂 ,  岡本 知広 ,  笠原 崇廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-216395
公開番号（公開出願番号）：特開2018-074109
出願日： 2016年11月04日
公開日（公表日）： 2018年05月10日
要約：
【課題】 十分な輝度が得られる発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップを提供することである。【解決手段】 発光ダイオードチップの製造方法であって、結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、該積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、内部に複数の気泡が形成された透明基板の表面に該ウエーハの各LED回路に対応して複数の窪みを形成する透明基板加工工程と、該透明基板加工工程を実施した後、該ウエーハの裏面に該透明基板の表面を貼着して一体化ウエーハを形成する一体化工程と、該ウエーハを該分割予定ラインに沿って該透明基板とともに切断して該一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
発光ダイオードチップの製造方法であって、 結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、該積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、 内部に複数の気泡が形成された透明基板の表面に該ウエーハの各LED回路に対応して複数の窪みを形成する透明基板加工工程と、 該透明基板加工工程を実施した後、該ウエーハの裏面に該透明基板の表面を貼着して一体化ウエーハを形成する一体化工程と、 該ウエーハを該分割予定ラインに沿って該透明基板とともに切断して該一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程と、 を備えたことを特徴とする発光ダイオードチップの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/02 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/683
FI (3件)：
H01L33/02 ,  H01L21/78 Q ,  H01L21/68 N
Fターム (32件)：
5F063AA04 ,  5F063BA11 ,  5F063BA33 ,  5F063BA47 ,  5F063CA01 ,  5F063CA04 ,  5F063CC31 ,  5F063DD02 ,  5F131AA02 ,  5F131AA03 ,  5F131AA21 ,  5F131AA22 ,  5F131AA23 ,  5F131AA40 ,  5F131BA31 ,  5F131BA52 ,  5F131BA60 ,  5F131CA01 ,  5F131CA67 ,  5F131DA02 ,  5F131DA13 ,  5F131DA14 ,  5F131DA33 ,  5F131DA42 ,  5F131DA67 ,  5F131EA05 ,  5F131EA07 ,  5F131EC33 ,  5F241AA03 ,  5F241CA40 ,  5F241CA76 ,  5F241CB36
引用特許：
審査官引用 (9件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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