特許
J-GLOBAL ID：200903068455397846
窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-091815
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266472
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】 基板剥離における簡便化と剥離面のダメージの軽減を図った窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 出発基板上に出発基板表面を選択的に露出する端部から連続したパターンの犠牲膜を形成する。犠牲膜を含んだ出発基板上にボイド窒化物半導体層を形成する。ボイド窒化物半導体層の上に素子形成用窒化物半導体層を形成する。素子形成用窒化物半導体層上に支持基板を取り付けた後、犠牲膜を除去して出発基板をボイド窒化物半導体層から剥離させる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
(a)出発基板上に該出発基板表面を選択的に露出する端部から連続したパターンの犠牲膜を形成する工程と、
(b)前記犠牲膜を含んだ出発基板上に第1窒化物半導体層をエピタキシャル成長温度より低い温度で成長させる工程と、
(c)前記第1窒化物半導体層をエピタキシャル成長温度以上の温度で加熱処理し、結晶性の向上した多数の島状ないしポーラス状のボイド形成層を形成する工程と、
(d)前記ボイド形成層の上に第2窒化物半導体層を成長させ、ボイド窒化物半導体層を形成する工程と、
(e)前記ボイド窒化物半導体層の上に素子形成用窒化物半導体層を形成する工程と、
(f)前記素子形成用窒化物半導体層上に支持基板を取り付けた後、前記犠牲膜を除去して前記出発基板を前記ボイド窒化物半導体層から剥離させる工程と
を含む窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, C23C 16/34
H01L33/00 C
, H01L21/205
, C23C16/34
4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030BB05
, 4K030BB12
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030DA03
, 4K030FA10
, 4K030LA14
, 5F041AA40
, 5F041CA33
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA67
, 5F041CA74
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD14
, 5F045AF04
, 5F045AF20
, 5F045CA07
, 5F045CA09
, 5F045DA53
, 5F045DA61
, 5F045DA67
, 5F045EB15
, 5F045EE12
, 5F045GB19
, 5F045GB20
, 5F045HA16
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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