特許
J-GLOBAL ID：201803008175833605

半導体装置

発明者：
高橋 典之

高橋 典之 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-088371
公開番号（公開出願番号）：特開2018-121083
出願日： 2018年05月01日
公開日（公表日）： 2018年08月02日
要約：
【課題】半導体装置における実装信頼性を高める。【解決手段】QFP5は、半導体チップ2が搭載されたダイパッド1cと、ダイパッド1cの周囲に配置された複数のインナ部1aと、複数のインナ部1aのそれぞれに繋がる複数のアウタ部1bと、半導体チップ2のボンディングパッド2cと複数のインナ部1aのそれぞれとを電気的に接続する複数のワイヤ4と、半導体チップ2を封止する封止体3と、を有している。さらに、半導体チップ2の厚さT1は、ダイパッド1cの下面1cbから封止体3の下面3bまでの厚さT5よりも大きく、かつ、封止体3の下面3bと、複数のアウタ部1bのそれぞれにおける先端部1beとの距離D1は、封止体3における半導体チップ2の主面2aから上面3aまでの厚さT4よりも大きい。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1面、および前記第1面とは反対側の第2面を有するダイパッドと、 主面、前記主面に形成された複数のボンディング電極、および前記主面とは反対側の裏面を有し、前記裏面が前記ダイパッドの前記第1面と対向するように、ダイボンド材を介して前記ダイパッドの前記第1面上に搭載された半導体チップと、 複数のワイヤを介して、前記複数のボンディング電極とそれぞれ電気的に接続された複数のリードと、 前記半導体チップの前記主面側に位置する上面、前記上面とは反対側の下面、前記上面と前記下面との間に位置する第1側面、および前記上面と前記下面との間に位置し、かつ、前記第1側面とは反対側の第2側面を有し、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する封止体と、 を含み、 前記半導体チップは、主に、第1線膨張係数を有する第1部材から成り、 前記封止体は、主に、前記第1線膨張係数よりも高い第2線膨張係数を有する第2部材から成り、 前記複数のリードのそれぞれは、 前記封止体で封止されたインナ部と、 前記封止体から露出したアウタ部と、 を有し、 前記アウタ部は、 前記インナ部と繋がり、かつ、前記封止体の前記上面に沿った水平方向に延在する第1部分と、 前記上面から前記下面に向かう前記封止体の厚さ方向に前記アウタ部を折り曲げる第1折り曲げ部を介して前記第1部分と繋がる第2部分と、 前記水平方向に前記アウタ部を折り曲げる第2折り曲げ部を介して前記第2部分と繋がる第3部分と、 を有し、 前記複数のリードは、 前記複数のワイヤのうちの第1ワイヤを介して、前記複数のボンディング電極のうちの第1ボンディング電極と電気的に接続され、かつ、前記封止体の前記第1側面から突出する第1リードと、 前記複数のワイヤのうちの第2ワイヤを介して、前記複数のボンディング電極のうちの第2ボンディング電極と電気的に接続され、かつ、前記封止体の前記第2側面から突出する第2リードと、 を有し、 断面視において、前記半導体チップは、前記第1リードの前記インナ部と前記第2リードの前記インナ部との間に位置しており、 断面視において、前記半導体チップの厚さは、前記封止体のうちの前記ダイパッドの前記第2面から前記封止体の前記下面までの厚さよりも大きく、 断面視において、前記封止体のうちの前記ダイパッドの前記第2面から前記封止体の前記下面までの厚さは、前記ダイパッドおよび前記ダイボンド材のそれぞれの厚さよりも大きく、 断面視において、前記複数のリードのそれぞれのスタンドオフ量は、0.40mmよりも大きく、かつ、前記封止体のうちの前記封止体の前記上面から前記封止体の前記下面までの厚さよりも小さく、 前記スタンドオフ量は、前記封止体の前記厚さ方向における、前記封止体の前記下面から前記アウタ部の前記第3部分までの距離であり、 断面視において、前記複数のリードのそれぞれの前記スタンドオフ量は、前記複数のリードのそれぞれの前記インナ部のうちの前記半導体チップの前記主面側に位置する上面から前記封止体の前記上面までの厚さ、あるいは、前記複数のリードのそれぞれの前記インナ部のうちの前記ダイパッドの前記第2面側に位置する下面から前記封止体の前記下面までの厚さよりも大きい、半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/50
FI (3件)：
H01L23/30 R ,  H01L23/28 A ,  H01L23/50 N
Fターム (12件)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DB15 ,  4M109EA02 ,  4M109EC05 ,  5F067AA01 ,  5F067AA13 ,  5F067AB03 ,  5F067BA02 ,  5F067BC01 ,  5F067EA04
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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