特許
J-GLOBAL ID：201803008404323306
薄膜コンデンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-199916
公開番号（公開出願番号）：特開2018-063980
出願日： 2016年10月11日
公開日（公表日）： 2018年04月19日
要約：
【課題】薄膜コンデンサにおける絶縁破壊の発生を抑制する。【解決手段】薄膜コンデンサ100は、一対の電極層としての内部電極層3,5と、当該一対の電極層に挟まれた誘電体層4と、前記誘電体層の端面に対して接しながら当該端面を覆う強誘電体材料からなるカバー層18と、を有し、誘電体層4の厚さをT1(nm)とし、誘電体層4との界面におけるカバー層18の厚さをT2(nm)としたときに、2500<T1×T2<40000の関係を満たす。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
一対の電極層と、
当該一対の電極層に挟まれた誘電体層と、
前記誘電体層の端面に対して接しながら当該端面を覆う強誘電体材料からなるカバー層と、を有し、
誘電体層の厚さをT1(nm)とし、誘電体層との界面におけるカバー層18の厚さをT2(nm)としたときに、
2500<T1×T2<40000
の関係を満たす、薄膜コンデンサ。
IPC (4件)：
H01G 4/33
, H01G 4/30
, H01G 4/12
, H01G 4/224
H01G4/06 102
, H01G4/30 301F
, H01G4/30 301E
, H01G4/12 346
, H01G4/30 301J
5E001AB03
, 5E001AB06
, 5E082CC03
, 5E082GG10
, 5E082HH21
, 5E082HH43
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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