特許
J-GLOBAL ID：200903059355507742
誘電体薄膜キャパシタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-341098
公開番号（公開出願番号）：特開2008-153497
出願日： 2006年12月19日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：
【課題】 キャパシタ部分を覆う保護層にクラックが生ずるおそれのない誘電体薄膜キャパシタを簡便な製造工程で製造することができる誘電体薄膜キャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】 そしてさらに、キャパシタ構造体の上にテーパ上のレジストパターンを形成してドライエッチングを行うことにより、下部電極、誘電体層及び上部電極を順に積層してなるキャパシタ構造体の端部をテーパ状に形成する。さらに、テーパ加工後に熱処理を行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に順に下部電極、誘電体層および上部電極を形成し、前記誘電体層を前記下部電極および前記上部電極で狭接したキャパシタ構造体を形成する工程と、
前記キャパシタ構造体の上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記キャパシタ構造体の一部をドライエッチングによって除去する工程と、
前記レジストパターンを除去した後に前記前記キャパシタ構造体を酸素雰囲気中で加熱する工程と、
前記キャパシタ構造体の少なくとも一部を覆う保護層を形成する工程と、
を有する誘電体薄膜キャパシタの製造方法であって、
前記レジストパターンの側面の少なくとも一部は、前記キャパシタ構造体に接する面から離れるにつれて前記キャパシタ構造体の縁端方向から中心方向に傾斜しているとともに、
前記キャパシタ構造体の一部を除去する工程においては、前記キャパシタ構造体の側面の少なくとも一部が前記基板に接する面から離れるにつれて前記キャパシタ構造体の縁端方向から中心方向に傾斜するように前記キャパシタ構造体の一部が除去される誘電体薄膜キャパシタの製造方法。
IPC (4件)：
H01G 4/33
, H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01G 4/12
H01G4/06 102
, H01L27/04 C
, H01G4/12 400
5E001AB06
, 5E001AH03
, 5E001AJ01
, 5E001AJ02
, 5E082AB03
, 5E082EE37
, 5E082FG26
, 5E082FG42
, 5F038AC05
, 5F038AC15
, 5F038AC17
, 5F038EZ14
, 5F038EZ15
, 5F038EZ17
, 5F038EZ20
