特許
J-GLOBAL ID：201803008648172580

窒化物半導体基板およびその製造方法

発明者：
阿部 芳久

阿部 芳久 について

, 
河端 真司

河端 真司 について

, 
宮本 真太郎

宮本 真太郎 について


出願人/特許権者：
クアーズテック株式会社

クアーズテック株式会社 について


代理人 (2件)： 木下 茂 ,  澤田 優子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-011099
公開番号（公開出願番号）：特開2018-137432
出願日： 2018年01月26日
公開日（公表日）： 2018年08月30日
要約：
【課題】移動度を低下させずに二次元電子ガスの濃度を高める構造を提供する。【解決手段】すなわち、Ina1Alb1Gac1N(0≦a1≦1、0≦b1≦1、0≦c1≦1、a1+b1+c1=1)の組成を有する第一の層と、前記第一の層上に形成され、Ina2Alb2Gac2N(0≦a2≦1、0≦b2≦1、0≦c2≦1、a2+b2+c2=1)の組成を有し、かつ、前記第一の層とは異なるバンドギャップを有する第二の層と、前記第二の層上に形成され、AjB1-jN(Aは13族元素、Bは13族元素または14族元素、A≠B、0 請求項（抜粋）：
Ina1Alb1Gac1N(0≦a1≦1、0≦b1≦1、0≦c1≦1、a1+b1+c1=1)の組成を有する第一の層と、 前記第一の層上に形成され、Ina2Alb2Gac2N(0≦a2≦1、0≦b2≦1、0≦c2≦1、a2+b2+c2=1)の組成を有し、かつ、前記第一の層とは異なるバンドギャップを有する第二の層と、 前記第二の層上に形成され、AjB1-jN(Aは13族元素、Bは13族元素または14族元素、A≠B、0 IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 Q
Fターム (13件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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