特許

J-GLOBAL ID：201803008680377509

SiC構造体およびその製造方法並びに半導体装置

発明者： 長澤 弘幸 ,  末光 眞希 ,  吹留 博一 ,  舘野 泰範 ,  三橋 史典 ,  岡田 政也 ,  上野 昌紀
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-172296
公開番号（公開出願番号）：特開2018-035051
出願日： 2016年09月02日
公開日（公表日）： 2018年03月08日
要約：

【課題】膜が接する単結晶SiC層の表面を適切な面とすること。【解決手段】本発明は、六方最密構造32と立方最密構造34との両方を含む単結晶SiC層10と、前記単結晶SiC層上に設けられSiCと異なる材料を含む膜20と、を備え、前記膜が接する前記単結晶SiC層の表面は、最も前記表面側の原子のサイト位置と前記表面から3層目の前記原子のサイト位置とが同じであるHCP表面と、最も前記表面側の前記原子のサイト位置と前記表面から3層目の前記原子のサイト位置とが異なるCCP表面と、のうちいずれか一方のみが露出する面であるSiC構造体である。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

六方最密構造と立方最密構造との両方を含む単結晶SiC層と、 前記単結晶SiC層上に設けられSiCと異なる材料を含む膜と、 を備え、 前記膜が接する前記単結晶SiC層の表面は、最も前記表面側の原子のサイト位置と前記表面から3層目の前記原子のサイト位置とが同じであるHCP表面と、最も前記表面側の前記原子のサイト位置と前記表面から3層目の前記原子のサイト位置とが異なるCCP表面と、のうちいずれか一方のみが露出する面であるSiC構造体。

IPC (9件)：

C01B 32/956 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  C01B 32/15 ,  C01B 32/18 ,  C01B 32/182 ,  C30B 29/36 ,  C30B 33/08

FI (6件)：

C01B31/36 601S ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 301Z ,  C01B31/02 101Z ,  C30B29/36 A ,  C30B33/08

Fターム (56件)：

4G077AB02 ,  4G077BE08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077FG01 ,  4G146AA01 ,  4G146AA19 ,  4G146AB07 ,  4G146AC19B ,  4G146AD30 ,  4G146BA08 ,  4G146BB06 ,  4G146BB15 ,  4G146BC02 ,  4G146BC23 ,  4G146BC34B ,  4G146BC50 ,  4G146CA01 ,  4G146CA08 ,  4G146CA12 ,  4G146CA17 ,  4G146MA14 ,  4G146MB01 ,  4G146MB03 ,  4G146MB05 ,  4G146MB07 ,  4G146MB11 ,  4G146MB12 ,  4G146MB14 ,  4G146PA03 ,  4G146PA04 ,  4G146PA06 ,  4G146PA07 ,  4G146PA10 ,  4G146PA11 ,  4G146PA15 ,  5F140AA01 ,  5F140BA00 ,  5F140BA02 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F152LL02 ,  5F152LM09 ,  5F152MM04 ,  5F152NN05 ,  5F152NN27 ,  5F152NQ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• グラフェン集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-163856   出願人：国立大学法人北海道大学

審査官引用 (1件)

• グラフェン集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-163856   出願人：国立大学法人北海道大学