単分散IR吸収ナノ粒子及び関連する方法及びデバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人北青山インターナショナル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-562358
公開番号（公開出願番号）：特表2018-529214
出願日： 2016年06月10日
公開日（公表日）： 2018年10月04日
要約：

本明細書に記載した実施例は、一般的に、赤外線(IR)放射線を吸収して、電荷キャリア(例えば、電子、正孔)を吸収できる単分散ナノ粒子に関する。いくつかの場合、ナノ粒子の少なくとも一部がナノクリスタルでる。所定の実施例では、単分散IR吸収ナノクリスタルが、ナノクリスタル作成ステップを具える方法にしたがって作成される。このステップは、ナノクリスタルの第1の元素を含む第1前駆体溶液を、ナノクリスタルの第2の元素を含む第2前駆体溶液に加えて、第1混合前駆体溶液を作成する。個々で、第1混合前駆体溶液中の第1の元素の第2の元素に対するモル比は、核形成スレッシュホールドより高い。この方法はさらに、第1前駆体溶液を第1混合前駆体溶液に加えて第2混合前駆体溶液を作成するナノクリスタル成長ステップを具え、ここで、第2混合前駆体溶液中の第1の元素の第2の元素に対するモル比は、核形成スレッシュホールドより低い。いくつかの実施例によると、ナノクリスタルの層は、IR光検出器、IR-可視光アップコンバージョンデバイス、およびIR太陽電池などのデバイスに設けられる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のナノクリスタルを含む層を具えるデバイスにおいて、当該複数のナノクリスタルが、相対標準偏差が約10%又はそれ以下で、平均最大断面寸法が約2nm又はそれ以上であり、当該複数のナノクリスタルが、波長が少なくとも約700nmの電磁放射線を吸収できる、ことを特徴とするデバイス。

IPC (5件)：

H01L 31/035 , G01J 1/02 , C01G 21/21 , B82Y 20/00 , B82Y 40/00

FI (6件)：

H01L31/04 342A , G01J1/02 B , C01G21/21 , G01J1/02 C , B82Y20/00 , B82Y40/00

Fターム (21件)：

2G065AA04 , 2G065AA15 , 2G065AB02 , 2G065BA09 , 2G065BA10 , 2G065BA14 , 2G065BE10 , 2G065CA12 , 5F151AA09 , 5F151AA11 , 5F151AA20 , 5F151DA11 , 5F151FA01 , 5F151FA02 , 5F151FA04 , 5F151FA06 , 5F151FA09 , 5F151FA18 , 5F151FA23 , 5F151GA03 , 5F151HA17

引用特許：

審査官引用 (2件)

IV-VI族の半導体コア-シェルナノ結晶を備える光起電力セル
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-537600 出願人：テクニオン・リサーチ・アンド・ディベロップメント・ファウンデーション・リミテッド, メルクパテントゲゼルシヤフトミットベシュレンクテルハフツング
量子ドット-フラーレン接合光電子素子
公報種別：公表公報出願番号：特願2012-531121 出願人：リサーチトライアングルインスティテュート,インターナショナル

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