特許

J-GLOBAL ID：201803009288483402

ハライド交換反応によるSi-H含有ヨードシランの調製

発明者： コール・リッター ,  ゲンナジー・アイトフ ,  マニッシュ・カンデルウォール ,  ジャン-マルク・ジラード ,  グレン・クーヘンベイザー ,  ショーン・ケリガン ,  ペン・ツァン
出願人/特許権者： レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
代理人 (2件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-563971
公開番号（公開出願番号）：特表2018-519233
出願日： 2017年05月19日
公開日（公表日）： 2018年07月19日
要約：

ハライド交換反応を利用する、ジヨードシラン又はペンタヨードジシランなどのSi-H含有ヨードシランを合成する方法が開示される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

式: SiwHxRyIz (1) N(SiHaRbIc)3 (2)、又は (SiHmRnIo)2-CH2 (3) (式中、wは1〜3であり、x+y+z=2w+2であり、xは1〜2w+1であり、yは0〜2w+1であり、zは1〜2w+1であり、各aは独立に0〜3であり、各bは独立に0〜3であり、各cは独立に0〜3であり、少なくとも1つのa及び少なくとも1つのcが1であることを条件としてa+b+c=3であり、各mは独立に0〜3であり、各nは独立に0〜3であり、各oは独立に0〜3であり、少なくとも1つのm及び少なくとも1つのoが1であることを条件としてm+n+o=3であり、及び各Rは独立にC1〜C12のヒドロカルビル基、Cl、Br、又はER’3基であり、ここで、各Eは独立にSi又はGeであり、及び各R’は独立にH又はC1〜C12のヒドロカルビル基である) を有するSi-H含有ヨードシランを合成する方法であって、 前記式SiwHxRyXz、又はN(SiHaRbXc)3、又は(SiHmRnXo)2-CH2(式中、XはCl又はBrであり、及びw、x、y、z、a、b、c、m、n、及びoは上で定義したとおりである)を有するハロシラン反応物と、式MI(式中、M=Li、Na、K、Rb、又はCsである)を有するアルカリ金属ハライド反応物とを反応させて、MXと(1)、(2)、又は(3)との混合物を生成する工程と、 前記式SiwHxRyIz、N(SiHaRbIc)3、又は(SiHmRnIo)2-CH2を有する前記Si-H含有ヨードシランを前記混合物から単離する工程と を含む方法。

IPC (2件)：

C01B 33/107 ,  C07F 7/12

FI (2件)：

C01B33/107 Z ,  C07F7/12 W

Fターム (25件)：

4G072AA15 ,  4G072AA16 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072HH07 ,  4G072HH33 ,  4G072JJ28 ,  4G072JJ47 ,  4G072KK17 ,  4G072LL15 ,  4G072MM03 ,  4G072MM22 ,  4G072MM33 ,  4G072PP15 ,  4G072UU01 ,  4H049VN01 ,  4H049VP02 ,  4H049VQ14 ,  4H049VR21 ,  4H049VR33 ,  4H049VS12 ,  4H049VU21 ,  4H049VV02 ,  4H049VW01 ,  4H049VW02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• SiN低温堆積法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-537880   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

審査官引用 (1件)

• SiN低温堆積法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-537880   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド