特許
J-GLOBAL ID：201803009700989197

相対的に小型の複数のMEMSデバイスを用いて相対的に大型のMEMSデバイスを置き換える方法

発明者：
チャールズ・ゴードン・スミス

チャールズ・ゴードン・スミス について

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リチャード・エル・ナイプ

リチャード・エル・ナイプ について

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ビクラム・ジョシ

ビクラム・ジョシ について

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ロベルト・ガッディ

ロベルト・ガッディ について

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アナルツ・ウナムノ

アナルツ・ウナムノ について

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ロベルトゥス・ペトルス・ファン・カンペン

ロベルトゥス・ペトルス・ファン・カンペン について


出願人/特許権者：
キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッド

キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 山田 卓二 ,  川端 純市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-040979
公開番号（公開出願番号）：特開2018-108642
出願日： 2018年03月07日
公開日（公表日）： 2018年07月12日
要約：
【課題】多数の小型のMEMSデバイスを用いて相対的に大型の1つのMEMSデバイス又はディジタル可変キャパシタの機能を置き換える。【解決手段】相対的に小型の多数のMEMSデバイスは、相対的に大型のデバイスと同じ機能を実行するが、これらは、その相対的に小型のサイズに起因して、CMOS互換のプロセスを用いてキャビティ内に封止可能である。相対的に小型の多数のデバイスにわたる信号の平均をとることにより、相対的に小型の複数のデバイスからなるアレーの精度は、相対的に大型のデバイスのものと等価になる。第1のプロセスでは、MEMSに基づく複数の加速度計スイッチからなるアレーを使用する。この場合、アレーには、慣性応答のアナログ/ディジタル変換が一体化されている。第2のプロセスでは、複数のMEMSデバイスがディジタル可変キャパシタとして並列動作する、MEMSに基づくデバイス構造を使用する。【選択図】図17A
請求項（抜粋）：
基板と、 複数の層と、 複数の微小電気機械デバイスとを備えたデバイス構造であって、 上記複数の層は上記基板上に形成され、上記複数の層のうちの第1の層は、上記構造内において上記基板と上記複数の層との間に形成された1つ又は複数のキャビティの境界になり、 上記複数の微小電気機械デバイスは、上記基板上であって、上記1つ又は複数のキャビティのそれぞれの内部に配置されたデバイス構造。
IPC (7件)：
B81B 3/00 ,  B81B 7/02 ,  G01P 15/135 ,  G01P 15/125 ,  G01P 15/08 ,  H01L 29/84 ,  H01G 5/16
FI (7件)：
B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01P15/135 Z ,  G01P15/125 Z ,  G01P15/08 101B ,  H01L29/84 Z ,  H01G5/16
Fターム (40件)：
3C081AA11 ,  3C081AA17 ,  3C081BA22 ,  3C081BA30 ,  3C081BA33 ,  3C081BA44 ,  3C081BA47 ,  3C081BA48 ,  3C081BA72 ,  3C081CA03 ,  3C081CA14 ,  3C081CA15 ,  3C081CA27 ,  3C081CA29 ,  3C081DA02 ,  3C081DA09 ,  3C081DA11 ,  3C081DA27 ,  3C081DA45 ,  3C081EA02 ,  3C081EA03 ,  3C081EA23 ,  3C081EA24 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA23 ,  4M112CA26 ,  4M112CA31 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA08 ,  4M112DA09 ,  4M112DA15 ,  4M112EA04 ,  4M112EA05 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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