特許

J-GLOBAL ID：201803009714273461

サブ解像度基板パターニングのためのエッチングマスクを形成する方法

発明者： デヴィリアーズ,アントン ジェイ.
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド
代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  大貫 進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-515551
公開番号（公開出願番号）：特表2018-530156
出願日： 2016年09月20日
公開日（公表日）： 2018年10月11日
要約：

本明細書に開示される技術は、高解像度フィーチャを作成するため、また、サブ解像度フィーチャのピッチ上でのカッティングのために、ピッチ縮小(ピッチ/フィーチャ密度の増加)のための方法を提供する。技術は、異なるエッチング特性を有する複数の材料を使用して、フィーチャを選択的にエッチングし、指定された箇所にカットを作成することを含む。材料の配列又は材料のラインの繰り返しパターンが使用されて、異なるエッチング抵抗性に基づいて選択的な自己整合を提供する。下地の転写層又は記憶層と組み合わせられて、複数の異なるエッチング選択性にアクセスすることができる。エッチングマスクは、複数の材料のラインのどの領域をエッチングすることができるかを規定する。

請求項（抜粋）：

基板をパターニングする方法であって、 下地層上に位置したマンドレルを有する基板を提供するステップであって、該マンドレルは第1の材料で構成される、提供するステップと、 前記マンドレルの露出した側壁に第1の側壁スペーサを形成するステップであって、該第1の側壁スペーサは第2の材料で構成される、形成するステップと、 前記第1の側壁スペーサの露出した側壁に第2の側壁スペーサを形成するステップであって、該第2の側壁スペーサは第3の材料で構成される、形成するステップと、 互いに向き合う前記第2の側壁スペーサの露出した側壁の間に規定された開スペースを充填する充填構造を形成するステップであって、該充填構造は第4の材料で構成される、形成するステップと、を含み、 前記マンドレルの上面、前記第1の側壁スペーサの上面、前記第2の側壁スペーサの上面、及び前記充填構造の上面はすべて覆われず、前記第1の材料、前記第2の材料、前記第3の材料及び前記第4の材料は、すべて互いに化学的に異なる、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L21/30 570 ,  H01L21/302 105A

Fターム (4件)：

5F004AA09 ,  5F004EA03 ,  5F004EA04 ,  5F146LB09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第6632741号
  
• ピッチを2倍以上にマルチプリケーションするための単一スペーサープロセスと、関連する中間IC構造
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-526631   出願人：マイクロンテクノロジー,インク.