特許
J-GLOBAL ID:201803009721750690
MEMS素子及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
緒方 保人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-196806
公開番号(公開出願番号):特開2018-058150
出願日: 2016年10月04日
公開日(公表日): 2018年04月12日
要約:
【課題】強度の低下がなく、可動電極の大きな変位により感度を向上させ、しかも面積効率よく感度を高めることが可能となるようにする。【解決手段】バックチャンバー10を有する基板1上に固定電極5を配置し、この固定電極5にエアーギャップGを介して略平行に、変位可能な可動電極3を配置したMEMS素子において、絶縁膜6から固定電極5に形成された孔hを貫通し、可動電極3まで到達する支持柱7を、可動電極面においてマトリクス状に配置する。これにより、薄い可動電極3と狭いエアーキャップGを実現し、感度を高めることができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
バックチャンバーを有する基板上に、固定電極と、この固定電極にエアーギャップを介して略平行に配置された変位可能な可動電極とを備えたMEMS素子において、
上記固定電極に形成された孔を貫通しかつ上記可動電極まで延出してこの可動電極を支持する支持柱を設け、上記可動電極に上記支持柱で支持された可動小領域を配列したことを特徴とするMEMS素子。
IPC (5件):
B81B 3/00
, B81C 1/00
, H04R 19/04
, H04R 31/00
, H01L 29/84
FI (5件):
B81B3/00
, B81C1/00
, H04R19/04
, H04R31/00 C
, H01L29/84 Z
Fターム (37件):
3C081AA01
, 3C081AA07
, 3C081AA11
, 3C081BA22
, 3C081BA45
, 3C081BA46
, 3C081BA48
, 3C081BA53
, 3C081CA03
, 3C081CA29
, 3C081DA03
, 3C081DA26
, 3C081DA27
, 3C081DA29
, 3C081DA30
, 3C081DA45
, 3C081EA01
, 3C081EA21
, 4M112AA06
, 4M112BA07
, 4M112CA01
, 4M112CA03
, 4M112CA04
, 4M112CA11
, 4M112CA14
, 4M112DA06
, 4M112DA11
, 4M112DA15
, 4M112EA03
, 4M112EA04
, 4M112EA05
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112FA01
, 4M112FA07
, 5D021CC06
, 5D021CC20
引用特許:
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