特許
J-GLOBAL ID：201403084765227130
MEMS素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-054857
公開番号（公開出願番号）：特開2014-180702
出願日： 2013年03月18日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
要約：
【課題】固定電極と可動電極の接触防止用の突起部を、通常の半導体装置の製造方法によって安定して作製することができるMEMS素子構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】固定電極14に形成された貫通孔15内に露出する犠牲層13をエッチングして段差部16を形成し、その後全面に絶縁膜として窒化膜17を形成する。段差部の中央部分の底部の窒化膜17をエッチング除去した後、犠牲層13を除去することで、エアーギャップ20内に突出する窒化膜からなる突起部21を形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
バックチャンバーを備えた基板と、該基板上にエアーギャップを形成して配置された固定電極と可動電極とを備えたMEMS素子において、
前記固定電極は、貫通孔を備え、
前記固定電極上に、少なくとも前記貫通孔の側壁部から連続して前記エアーギャップ方向に突出した突起部を構成する絶縁膜が積層形成されていることを特徴とするMEMS素子。
IPC (4件)：
B81B 3/00
, B81C 1/00
, H04R 19/04
, H04R 31/00
B81B3/00
, B81C1/00
, H04R19/04
, H04R31/00 C
3C081AA02
, 3C081AA18
, 3C081BA48
, 3C081CA03
, 3C081CA14
, 3C081EA21
, 5D021CC19
, 5D021CC20
