特許

J-GLOBAL ID：201803009803421458

磁場センサ

発明者： ディーク、ジェイムズ、ジー. ,  シェーン、ウェイホン ,  レイ、シャオホン ,  シュエ、ソンシェン
出願人/特許権者： 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司
代理人 (1件)： 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-540298
特許番号：特許第6276190号
出願日： 2012年09月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 少なくとも1つの磁気抵抗センサ素子(10)と、前記磁気抵抗センサ素子(10)の近くにある導体(11)とを備える磁場センサであって、 前記導体(11)へ印加された電流(12)が、前記磁気抵抗センサ素子(10)の検出軸(15)と平行なバイアス磁場(13)を生成し、 前記磁気抵抗センサ素子(10)の保磁力(Hc)が、前記磁気抵抗センサ素子(10)のオフセット磁場(Hoffset)に等しく、印加された磁場(24)の関数としての、前記磁気抵抗センサ素子(10)のセンサ出力電圧(23)である伝達曲線(20)がヒステリシス曲線を示し、当該伝達曲線上の飽和点(27)よりも高い磁場(Hreset30)を印加し除去することで、原点(25)に戻るように前記磁気抵抗センサ素子(10)が初期化される構成であって、 前記磁場センサをリセットするために第1の電流が印加されて前記保磁力(Hc)を除去し、前記磁場センサを定期的に較正するために第2の電流が印加されて前記磁気抵抗センサ素子(10)の温度依存性を除去する、磁場センサ。

IPC (2件)：

G01R 33/09 ( 200 6.01) ,  G01R 33/02 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G01R 33/09 ,  G01R 33/02 X

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 磁気抵抗素子、それを用いたメモリ素子、メモリセル及びメモリ素子の記録再生方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-078471   出願人：キヤノン株式会社
• 磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-072134   出願人：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗素子、それを用いたメモリ素子、メモリセル及びメモリ素子の記録再生方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-078471   出願人：キヤノン株式会社
• 磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-072134   出願人：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.

引用文献：

出願人引用 (1件)

• “Exchange-biased magnetic tunnel junctions: Dependence of offset field on junction width”

審査官引用 (1件)

• “Exchange-biased magnetic tunnel junctions: Dependence of offset field on junction width”