特許
J-GLOBAL ID：201803009814231715

多層半導体構造の層における厚さ変動を測定する方法

発明者：
オレグ、コノンチュク

オレグ、コノンチュク について


出願人/特許権者：
ソワテク

ソワテク について


代理人 (5件)： 永井 浩之 ,  中村 行孝 ,  佐藤 泰和 ,  朝倉 悟 ,  反町 洋
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-516704
公開番号（公開出願番号）：特表2018-531381
出願日： 2016年10月03日
公開日（公表日）： 2018年10月25日
要約：
本発明は、多層半導体構造の第一層における厚さ変動を測定するための画像取得装置であり、- 該構造の表面の少なくとも一区域の画像を取得し、該画像が、該構造の表面の該区域上に準単色光束を反射させることにより得られ、- 該取得画像を処理し、表面の該区域により反射された光の強度変動から、該第一層の厚さ変動のマップを決定し、該処理が、画像の各ピクセルの強度を、取得画像のピクセルの強度と第一層の局所的厚さとの間の関係を限定する、予め決められた校正曲線と比較することを含んでなり、該校正曲線が、第一層と異なった構造の第二層の特定厚さに対して決定され、該準単色光束の波長が、該第二層に対する反射率の感度の最小に対応する様に選択される、方法であって、該方法が、さらに、構造の表面の該少なくとも一区域における第二層の厚さを測定すること、- 該測定された厚さが、校正曲線で考慮された第二層の厚さと異なる場合、厚さ変動のマップに補正曲線を適用し、該補正曲線が、第二層の該測定された厚さに対して、第一層の厚さと、第一層の厚さ変動のマップに適用される補正ファクターとの間の関係を限定し、第一層の厚さ変動の補正されたマップを決定する、方法に関する。
請求項（抜粋）：
多層半導体構造の第一層における厚さ変動を測定する方法であり、 - 画像取得装置で、前記構造の表面の少なくとも一区域の画像を取得し、前記画像が、前記構造の前記表面の前記区域上に準単色光束を反射させることにより得られ、 - 前記取得画像を処理し、前記表面の前記区域により反射された前記光の強度変動から、前記第一層の前記厚さ変動のマップを決定し、前記処理が、前記画像の各ピクセルの強度を、前記取得画像のピクセルの強度と前記第一層の局所的厚さとの間の関係を限定する、予め決められた校正曲線と比較することを含んでなり、前記校正曲線が、前記第一層と異なった構造の第二層の特定厚さに対して決定され、 前記準単色光束の波長が、前記第二層に対する前記反射率の前記感度の最小に対応する様に選択され、層に対する前記反射率の前記感度が、 (i)考慮された層が、特定の厚さの差を有する、2つの多層構造の反射率間の差と (ii)前記特定の厚さの差との 間の比に等しく、 他の層の厚さが、両方の多層構造で同等である、前記方法であって、 前記方法が、さらに、 - 特に楕円偏光法により、前記構造の前記表面の前記少なくとも一区域における前記第二層の厚さを測定すること、 - 前記測定された厚さが、前記校正曲線で考慮された前記第二層の厚さと異なる場合、前記厚さ変動の前記マップに補正曲線を適用し、前記補正曲線が、前記第二層の前記測定された厚さに対して、前記第一層の厚さと、前記第一層の前記厚さ変動の前記マップに適用される補正ファクターとの間の関係を限定し、前記第一層の厚さ変動の補正されたマップを決定することを特徴とする、方法。
IPC (1件)：
G01B 11/02
FI (1件)：
G01B11/02 G
Fターム (23件)：
2F065AA30 ,  2F065AA54 ,  2F065BB02 ,  2F065BB17 ,  2F065BB18 ,  2F065BB23 ,  2F065CC19 ,  2F065DD03 ,  2F065FF04 ,  2F065FF41 ,  2F065FF48 ,  2F065FF49 ,  2F065GG07 ,  2F065GG12 ,  2F065HH04 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ08 ,  2F065LL67 ,  2F065QQ03 ,  2F065QQ17 ,  2F065QQ24 ,  2F065QQ31
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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