多層半導体構造の層の厚さばらつきを測定するための方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：池田成人 , 酒巻順一郎 , 野田雅一 , 山口和弘
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-541047
公開番号（公開出願番号）：特表2016-504566
出願日： 2013年09月19日
公開日（公表日）： 2016年02月12日
要約：

本発明は、多層半導体構造の層の厚さばらつきを測定するための方法において、画像取得システムによって前記構造の表面の少なくとも1つの画像を取得するステップであって、前記画像が前記構造の表面からほぼ単色の光束を反射させることによって得られるステップと、前記表面から反射された光の強度のばらつきから、測定される前記層の厚さばらつきを求めるために前記少なくとも1つの取得画像を処理するステップとを含むこと、並びに前記ほぼ単色の光束の波長が厚さばらつきを測定しなければならない層以外の構造の層の反射率の感度の最小値に対応するように選ばれ、ある層の反射率の前記感度が、問題とする層が所与の厚さの差を有する2つの多層構造の反射率間の差と前記所与の厚さの差との比に等しく、その他の層の厚さに関しては2つの多層構造において同一であることを特徴とする、方法に関する。本発明は、前記方法を実施する測定システムにも関する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

多層半導体構造の層の厚さばらつきを測定するための方法において、画像取得システムを用いて、前記構造の表面の少なくとも1つの画像を取得するステップであって、前記画像が準単色光束を前記構造の前記表面で反射させることによって得られる、ステップと、前記表面によって反射された前記光の強度ばらつきから、測定される前記層の前記厚さばらつきを求めるように、前記少なくとも1つの取得画像を処理するステップと、を含むこと、及び、前記準単色光束の波長が、前記厚さばらつきを測定しなければならない前記層以外の前記構造の層に関しては前記反射率の前記感度の最小値に対応するように選択され、ある層に関する前記反射率の前記感度が、前記考慮される層が所与の厚さの差を有する2つの多層構造の前記反射率間の差と、前記所与の厚さの差との比に等しく、その他の層の前記厚さが両方の多層構造において同一であること、を特徴とする、方法。

IPC (4件)：

G01B 11/06 , G01N 21/88 , H01L 21/66 , H01L 27/12

FI (4件)：

G01B11/06 H , G01N21/88 Z , H01L21/66 P , H01L27/12 T

Fターム (36件)：

2F065AA30 , 2F065BB03 , 2F065BB17 , 2F065CC17 , 2F065CC19 , 2F065DD03 , 2F065DD06 , 2F065FF04 , 2F065FF44 , 2F065FF61 , 2F065GG24 , 2F065HH12 , 2F065JJ03 , 2F065JJ26 , 2F065LL04 , 2F065LL22 , 2F065QQ29 , 2F065QQ31 , 2F065SS13 , 2G051AA51 , 2G051AB07 , 2G051BA04 , 2G051BA11 , 2G051BA20 , 2G051BB07 , 2G051CB01 , 2G051EA12 , 2G051EA14 , 4M106AA10 , 4M106BA04 , 4M106CA48 , 4M106DH31 , 4M106DH39 , 4M106DH50 , 4M106DJ18 , 4M106DJ20

引用特許：

出願人引用 (9件)

薄膜付ウェーハの評価方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-122187 出願人：信越半導体株式会社
SOIウェーハの検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-111785 出願人：信越半導体株式会社
マスクの検査方法及びマスクの検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-092245 出願人：日本電気株式会社

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