特許
J-GLOBAL ID：201803010160617188
高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
好宮 幹夫
, 小林 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-022667
公開番号（公開出願番号）：特開2018-098520
出願日： 2018年02月13日
公開日（公表日）： 2018年06月21日
要約：
【課題】ベース用バスバー電極とベース電極の電気的接触を良好に保ちながら、エミッタ領域の接触による並列抵抗の低下を軽微にできる太陽電池を提供する。【解決手段】第一導電型を有する半導体基板10の第一主表面に、第一導電型を有するベース層13、及び、隣接し第二導電型を有するエミッタ層12を有し、ベース電極25と、エミッタ電極24とを有する太陽電池であって、前記第一主表面上において、前記ベース層及び前記エミッタ層に接する誘電体膜を有し、前記エミッタ電極を覆うとともに、前記誘電体膜上に位置し、少なくとも前記ベース層上において間隙を有するように配置された第一の絶縁膜43を有し、少なくとも前記第一の絶縁膜の上に位置するベース用バスバー電極34を有し、前記第一の絶縁膜の間隙の距離が40μm以上(W+110)μm以下(但し、Wは間隙方向のベース層の幅)であることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第一導電型を有する半導体基板の第一主表面に、前記第一主表面に形成された凹部を含むとともに前記第一導電型を有するベース層、及び、前記ベース層に隣接し、前記第一導電型と反対の導電型である第二導電型を有するエミッタ層を有し、
前記ベース層と電気的に接続されるベース電極と、
前記エミッタ層と電気的に接続されるエミッタ電極と
を有する太陽電池であって、
前記第一主表面上において、前記ベース層及び前記エミッタ層に接する誘電体膜を有し、
前記エミッタ電極を覆うとともに、前記誘電体膜上に位置し、少なくとも前記ベース層上において間隙を有するように配置された第一の絶縁膜を有し、
少なくとも前記第一の絶縁膜の上に位置するベース用バスバー電極を有し、
前記ベース層の前記半導体基板の第一主表面に表れる形状が細長であり、その幅が50μm以上200μm以下であり、
前記第一の絶縁膜の間隙の距離が40μm以上(W+110)μm以下(但し、Wは間隙方向のベース層の幅)であることを特徴とする太陽電池。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/04 262
, H01L29/44 P
4M104AA01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104DD51
, 4M104DD78
, 4M104EE17
, 4M104EE18
, 4M104FF11
, 4M104FF27
, 4M104GG04
, 5F151AA02
, 5F151CB20
, 5F151DA10
, 5F151EA19
, 5F151FA10
, 5F151FA15
, 5F151GA15
, 5F151HA03
, 5F151JA03
, 5F151JA04
, 5F151JA05
