特許

J-GLOBAL ID：201803010354362164

電子装置、及び電子装置の製造方法

発明者： 菊池 遼 ,  酒井 泰治 ,  佐々木 真
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  加藤 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-256726
公開番号（公開出願番号）：特開2018-110155
出願日： 2016年12月28日
公開日（公表日）： 2018年07月12日
要約：

【課題】高密度実装された電子装置の放熱性を高める。【解決手段】電子装置は、基板の上に第1のサイズの接合部で搭載された第1の電子部品と、前記第1の電子部品の上に、前記第1のサイズと異なる第2のサイズの接合部で搭載された第2の電子部品と、前記基板、前記第1の電子部品、及び前記第2の電子部品で形成される積層構造体の周囲を封止する封止層と、前記封止層の内部に充填される電気絶縁性の液体と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の上に第1のサイズの接合部で搭載された第1の電子部品と、 前記第1の電子部品の上に、前記第1のサイズと異なる第2のサイズの接合部で搭載された第2の電子部品と、 前記基板、前記第1の電子部品、及び前記第2の電子部品で形成される積層構造体の周囲を封止する封止層と、 前記封止層の内部に充填される電気絶縁性の液体と、 を有することを特徴とする電子装置。

IPC (6件)：

H01L 23/473 ,  H01L 23/32 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H05K 7/20

FI (4件)：

H01L23/46 Z ,  H01L23/32 D ,  H01L25/08 Z ,  H05K7/20 A

Fターム (14件)：

5E322AA11 ,  5E322EA10 ,  5E322FA05 ,  5F136CB03 ,  5F136CB07 ,  5F136CB08 ,  5F136CB27 ,  5F136DA03 ,  5F136DA08 ,  5F136DA14 ,  5F136FA13 ,  5F136FA14 ,  5F136FA16 ,  5F136FA18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 三次元実装半導体モジュール及び三次元実装半導体システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-168119   出願人：株式会社東芝
• 半導体素子の実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-070889   出願人：日本電気株式会社