特許
J-GLOBAL ID：201803010457984422
多孔質ポリアミドイミド被膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-025166
公開番号（公開出願番号）：特開2018-137217
出願日： 2018年02月15日
公開日（公表日）： 2018年08月30日
要約：
【課題】多孔質基材上に多孔質ポリアミドイミド(PAI)被膜を形成するに際し、イオン透過性が高められたPAI被膜の形成方法を提供する。【解決手段】アミド系溶媒(溶媒A)と、アミド系以外の溶媒(溶媒B)とを含む均一なPAI溶液を、多孔質基材上に塗布後、乾燥することにより相分離現象を誘起せしめPAIを多孔質化するに際し、溶媒組成を以下の組成とすることを特徴とする多孔質PAI被膜の形成方法。(1)溶媒Bは、テトラグライムおよび/またはトリグライム(溶媒C)と、炭化水素系溶媒および/またはテトラグライムまたはトリグライム以外のエーテル系溶媒(溶媒D)とを含有し、溶媒Cと溶媒Dとの混合比率が、98:2〜40:60(質量比)である。(2)溶媒Aと、溶媒Bとの混合比率が、5:95〜50:50(質量比)である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
アミド系溶媒(溶媒A)と、アミド系以外の溶媒(溶媒B)とを含む均一なポリアミドイミド(PAI)溶液を、多孔質基材上に塗布後、乾燥することにより相分離現象を誘起せしめPAIを多孔質化するに際し、溶媒組成を以下の組成とすることを特徴とする多孔質PAI被膜の形成方法。
(1) 溶媒Bは、テトラグライムおよび/またはトリグライム(溶媒C)と、炭化水素系溶媒および/またはテトラグライムまたはトリグライム以外のエーテル系溶媒(溶媒D)とを含有し、溶媒Cと溶媒Dとの混合比率が、98:2〜40:60(質量比)である。
(2) 溶媒Aと、溶媒Bとの混合比率が、5:95〜50:50(質量比)である。
IPC (5件)：
H01M 4/139
, H01M 2/16
, H01G 11/84
, H01G 11/26
, H01G 11/86
H01M4/139
, H01M2/16 L
, H01M2/16 P
, H01G11/84
, H01G11/26
, H01G11/86
5E078AA05
, 5E078AA09
, 5E078AA15
, 5E078AB01
, 5E078BA05
, 5E078BA42
, 5E078BA51
, 5E078CA02
, 5E078CA06
, 5E078CA09
, 5E078CA12
, 5E078CA20
, 5E078LA08
, 5E078ZA01
, 5H021AA06
, 5H021BB12
, 5H021BB13
, 5H021CC04
, 5H021EE02
, 5H050AA12
, 5H050AA15
, 5H050BA17
, 5H050CA01
, 5H050CA08
, 5H050CA09
, 5H050CA20
, 5H050CB02
, 5H050CB08
, 5H050CB09
, 5H050CB11
, 5H050DA19
, 5H050FA02
, 5H050FA18
, 5H050GA02
, 5H050GA22
, 5H050GA27
