特許
J-GLOBAL ID：201803010924306980
発光ダイオード及びそれを製造する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-001347
公開番号（公開出願番号）：特開2016-105495
特許番号：特許第6262778号
出願日： 2016年01月06日
公開日（公表日）： 2016年06月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、
前記基板上に配置される第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に配置され光を生成する活性層、及び前記活性層上に配置され前記第1の半導体層と相補的な導電型を有する第2の半導体層を含むメサと、
前記メサ上に位置し、前記活性層で生成された光を反射し、異なる材質を有する金属膜間の熱膨張係数の差によって発生する応力を吸収する反射パターンと、
前記メサ及び前記第1の半導体層を覆い、前記メサから電気的に絶縁され、前記メサの上部領域に前記反射パターンを露出させる第1の開口部を含み、前記第1の半導体層にオーミック接触する電流分散層と、
前記メサと前記電流分散層との間に位置し、前記メサの上部領域内に前記反射パターンを露出させる第2の開口部を有し、前記電流分散層を前記メサから電気的に絶縁させる下部絶縁層と、
を含み、
前記第1の開口部及び前記第2の開口部を通じて前記反射パターンが露出されるよう前記第1の開口部及び前記第2の開口部が設けられ、
前記電流分散層は、前記メサの側面に沿って前記第1の半導体層とオーミック接触し、前記メサを覆う前記電流分散層と連続している発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (7件)
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窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2009-241053
出願人：シャープ株式会社
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半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-163832
出願人：富士通カンタムデバイス株式会社
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特開平3-250733
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審査官引用 (6件)
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