特許
J-GLOBAL ID：200903051598701341

発光素子における電極構造の形成方法、及び、積層構造体の形成方法

発明者：
平尾 直樹

平尾 直樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 山本 孝久 ,  吉井 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-149877
公開番号（公開出願番号）：特開2008-305874
出願日： 2007年06月06日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
【課題】1回のリフトオフ工程によって、下層が上層によって被覆された積層構造体から成る電極構造を形成する方法を提供する。【解決手段】本発明の電極構造の形成方法は、(A)化合物半導体層13上に、上端部径がRT、下端部径がRB(RB>RT)である開口部31を有するマスク材料層30を形成した後、(B)堆積時に堆積させるべき材料が直進性を有するPVD法に基づき、開口部31の底部に露出した化合物半導体層13の部分に、導電材料から成る第1の材料層22Aを堆積させ、次いで、(C)堆積時に堆積させるべき材料が非直進性を有する気相成長法に基づき、開口部31の底部に堆積した第1の材料層22Aの上、及び、開口部31の底部に露出した化合物半導体層13の部分に、第2の材料層22Bを堆積させ、その後、(D)マスク材料層31を除去する各工程を具備する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(A)化合物半導体層上に、上端部径平均値がRT、下端部径平均値がRB(但し、RB>RT)である開口部を有するマスク材料層を形成し、 (B)堆積時に堆積させるべき材料が直進性を有する物理的気相成長法に基づき、マスク材料層上、及び、開口部の底部に露出した化合物半導体層の部分に、導電材料から成る第1の材料層を堆積させ、 (C)堆積時に堆積させるべき材料が非直進性を有する気相成長法に基づき、マスク材料層上の第1の材料層の上、開口部の底部に堆積した第1の材料層の上、及び、開口部の底部に露出した化合物半導体層の部分に、第2の材料層を堆積させ、 (D)マスク材料層、並びに、その上に堆積した第1の材料層及び第2の材料層を除去する、 各工程を具備することを特徴とする、第1の材料層及び第2の材料層から成る、発光素子における電極構造の形成方法。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 E
Fターム (7件)：
5F041CA05 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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