特許
J-GLOBAL ID：201803011115462439

表示装置および半導体装置

発明者：
津野 仁志

津野 仁志 について

, 
永澤 耕一

永澤 耕一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-521212
特許番号：特許第6225902号
出願日： 2013年05月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜に積層された半導体層および前記ゲート絶縁膜の前記半導体層の反対側に積層されたゲート電極層を有するトランジスタ部と、 前記半導体層と電気的に接続され、前記トランジスタ部上に配置された配線層と同一階層に配置された第1金属膜および前記第1金属膜上の第1層間絶縁膜を介して配置された第2金属膜を有する第1容量素子部と、 前記トランジスタ部によって制御される表示素子とを備え、 前記第1容量素子部はその面内に少なくとも1つの凹部を有すると共に、前記凹部の底面は前記トランジスタ部の前記ゲート絶縁膜に接している 表示装置。
IPC (7件)：
G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  H05B 33/08 ( 200 6.01) ,  H05B 33/22 ( 200 6.01) ,  H05B 33/06 ( 200 6.01) ,  H05B 33/10 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (8件)：
G09F 9/30 338 ,  H05B 33/08 ,  H05B 33/22 Z ,  H05B 33/06 ,  H05B 33/10 ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 619 A
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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