特許
J-GLOBAL ID：201103005182070616

薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置

発明者：
諸沢 成浩

諸沢 成浩 について

, 
大島 宜浩

大島 宜浩 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (4件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司 ,  長谷部 政男 ,  田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-245035
公開番号（公開出願番号）：特開2011-228622
出願日： 2010年11月01日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：
【課題】セルフアライン構造の薄膜トランジスタの特性を安定させることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体膜20のチャネル領域20A上にゲート絶縁膜30およびゲート電極40をこの順に同一形状で形成する。酸化物半導体膜20,ゲート絶縁膜30およびゲート電極40の上に金属膜を形成し、この金属膜に対して熱処理を行うことにより、金属膜を酸化させて高抵抗膜50を形成すると共に、ソース領域20Sおよびドレイン領域20Dの上面から深さ方向における少なくとも一部に低抵抗領域21を形成する。低抵抗領域21は、アルミニウム(Al)等をドーパントとして含むか、またはチャネル領域20Aよりも酸素濃度が低いことにより低抵抗化されている。変動要素の多いプラズマ処理を用いずに高抵抗領域21を形成可能となり、安定した特性が得られる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、 前記ゲート電極に対向してチャネル領域を有すると共に前記チャネル領域の一方の側にソース領域、他方の側にドレイン領域を有し、前記ソース領域および前記ドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、アルミニウム(Al),ホウ素(B),ガリウム(Ga),インジウム(In),チタン(Ti),シリコン(Si),ゲルマニウム(Ge),スズ(Sn)および鉛(Pb)からなる群のうちの少なくとも一種をドーパントとして含む低抵抗領域を有する酸化物半導体膜と、 前記低抵抗領域に接続されたソース電極およびドレイン電極と を備えた薄膜トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30
FI (9件)：
H01L29/78 616S ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 627F ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338
Fターム (78件)：
2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA46 ,  2H092JA47 ,  2H092JA48 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA18 ,  2H092MA25 ,  2H092MA27 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA11 ,  2H092NA24 ,  2H092NA27 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094DA13 ,  5C094FA01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB05 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB18 ,  5C094GB10 ,  5C094JA08 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ30 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ12
引用特許：
審査官引用 (13件)
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