特許

J-GLOBAL ID：201803011183828891

マルチレベルマイクロメカニカル構造

発明者： イーホラ・アンッティ ,  トーケリ・アルッティ ,  リュトゥコネン・ヴィッレ-ペッカ ,  リウック・マッティ
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (2件)： 吉川 修一 ,  傍島 正朗
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-511536
公開番号（公開出願番号）：特表2018-515353
出願日： 2016年05月09日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
要約：

本発明は、均質なシリコン材料のみを含む多層マイクロメカニカル構造を備えるマイクロメカニカルデバイスに関する。デバイス層は、少なくとも1つのロータと、少なくとも2つのステータとを備える。ロータおよび少なくとも2つのステータの少なくとも一部は、デバイス層の第1の表面から少なくとも2つの異なる陥凹深さまで少なくとも部分的に陥凹しており、ロータおよび少なくとも2つのステータの少なくとも一部は、デバイス層の第2の表面から少なくとも2つの異なる陥凹深さまで少なくとも部分的に陥凹している。【選択図】 図9

請求項（抜粋）：

均質なデバイスウェハ材料のみを含むデバイス層を備えるマイクロメカニカルデバイスであって、前記デバイス層が少なくとも1つのロータと少なくとも2つのステータとを有するマルチレベルコーム構造を備えることを特徴とする、マイクロメカニカルデバイス。

IPC (1件)：

B81B 3/00

FI (1件)：

B81B3/00

Fターム (11件)：

3C081AA01 ,  3C081BA07 ,  3C081BA30 ,  3C081BA44 ,  3C081BA48 ,  3C081BA71 ,  3C081CA02 ,  3C081CA14 ,  3C081CA20 ,  3C081CA32 ,  3C081DA02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 静電容量式センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-126450   出願人：松下電工株式会社
• 特許第6571628号
  
• 特許第7214559号
  
• 特許第817813号
  

審査官引用 (4件)

• 静電容量式センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-126450   出願人：松下電工株式会社
• 特許第6571628号
  
• 特許第7214559号
  
• 特許第817813号