特許
J-GLOBAL ID：201803011325765256
光集積回路用ハイブリッド垂直共鳴レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
実広 信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-207060
公開番号（公開出願番号）：特開2014-078709
特許番号：特許第6293446号
出願日： 2013年10月02日
公開日（公表日）： 2014年05月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコンより屈折率が低い2層の低屈折率層間のグレーティング・ミラーと、
第1方向で、前記グレーティング・ミラーの一側に光学的に連結された光導波路と、
前記2層の低屈折率層のうち1層の低屈折率層上に活性層を含むIII-V族半導体層と、
前記半導体層上の上部ミラーと、を具備し、
前記グレーティング・ミラーが、前記2層の低屈折率層間のシリコン層に形成され、前記第1方向と直交する第2方向に、前記2層の低屈折率層と前記シリコン層とによって取り囲まれた互いに平行な複数のバー形状の低屈折率物質部を具備し、
前記低屈折率物質部の屈折率がシリコンより低く、前記低屈折率物質部が、前記第1方向に第1幅と、前記第1幅より広い第2幅の少なくとも2つの幅を有し、
前記第1幅を有した低屈折率物質部と、前記第2幅を有した低屈折率物質部とが交互に、または2個以上のn個の前記第1幅を有した低屈折率物質ごとに、n個未満の前記第2幅を有した低屈折率物質部が形成されたことを特徴とする、光集積回路用ハイブリッド垂直共鳴レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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