特許

J-GLOBAL ID：201803011371029483

半導体材料、導電性層にキャリアを生じさせる方法、熱電変換素子、及びスイッチング素子

発明者： 山本 貴博 ,  中嶋 宇史 ,  阿武 宏明 ,  小鍋 哲
出願人/特許権者： 学校法人東京理科大学 ,  日本ゼオン株式会社
代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016080628
公開番号（公開出願番号）：WO2017-065306
出願日： 2016年10月14日
公開日（公表日）： 2017年04月20日
要約：

本発明の実施形態は、圧電材料を含む圧電層と、導電性材料を含み、前記圧電層に接触させて又は他の層を介して設けられた導電性層と、を有し、前記圧電層に外部刺激を付与することで生じた分極によって前記導電性層にキャリアが生じる半導体材料である。

請求項（抜粋）：

圧電材料を含む圧電層と、 導電性材料を含み、前記圧電層に接触させて又は他の層を介して設けられた導電性層と、 を有し、 前記圧電層に外部刺激を付与することで生じた分極によって前記導電性層にキャリアが生じる半導体材料。

IPC (5件)：

H01L 35/32 ,  H01L 35/24 ,  H01L 41/113 ,  H01L 41/193 ,  H02N 11/00

FI (5件)：

H01L35/32 A ,  H01L35/24 ,  H01L41/113 ,  H01L41/193 ,  H02N11/00 A