特許
J-GLOBAL ID：201803011492637162

洗浄用組成物及びCMP後の半導体ウエハーの洗浄方法

発明者：
ロマン イバノフ

ロマン イバノフ について

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フェルナンド フン

フェルナンド フン について

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コ チェン-ユエン

コ チェン-ユエン について

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フレッド サン

フレッド サン について


出願人/特許権者：
キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション

キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  三橋 真二 ,  木村 健治 ,  胡田 尚則 ,  日浅 里美
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-536832
公開番号（公開出願番号）：特表2018-507540
出願日： 2016年01月12日
公開日（公表日）： 2018年03月15日
要約：
本発明は、化学機械研磨後に半導体ウエハーから汚染物質を洗浄するための組成物を提供する。洗浄用組成物は、1種以上の水酸化第四級アンモニウムと、1種以上の有機アミンと、1種以上の金属抑制剤と、水とを含む。本発明は、洗浄用組成物の使用方法も提供する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
(a)組成物のpHを約10〜約14のpHに調節するのに有効な量の1種以上の水酸化第四級アンモニウム、 (b)1種以上の有機アミン、 (c)プリン、アゾール、ピリミジン、チアゾール、チアゾリノン、ポリフェノール、バルビツール酸誘導体、シッフ塩基、及びこれらの組み合わせから選択される1種以上の金属抑制剤、並びに (d)水、 を含有する組成物であって、化学機械研磨後の半導体ウエハーからの汚染物質の除去に適する前記組成物。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/26
FI (5件)：
H01L21/304 647A ,  H01L21/304 622Q ,  H01L21/304 622X ,  C11D7/32 ,  C11D7/26
Fターム (47件)：
4H003DA15 ,  4H003DB01 ,  4H003EB13 ,  4H003EB14 ,  4H003EB19 ,  4H003EB41 ,  4H003ED02 ,  4H003FA04 ,  4H003FA28 ,  5F057AA21 ,  5F057BA15 ,  5F057BA21 ,  5F057BB21 ,  5F057BB23 ,  5F057CA12 ,  5F057CA25 ,  5F057DA03 ,  5F057DA38 ,  5F057EC30 ,  5F057FA37 ,  5F157AA29 ,  5F157AA32 ,  5F157AA34 ,  5F157AA35 ,  5F157AA36 ,  5F157AA46 ,  5F157AA47 ,  5F157AA48 ,  5F157AA51 ,  5F157AA54 ,  5F157AA62 ,  5F157AA70 ,  5F157AA73 ,  5F157AA96 ,  5F157BB01 ,  5F157BC07 ,  5F157BC13 ,  5F157BC54 ,  5F157BD03 ,  5F157BE12 ,  5F157BE42 ,  5F157BF22 ,  5F157BF38 ,  5F157BF39 ,  5F157DB11 ,  5F157DB18 ,  5F157DB51
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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