特許
J-GLOBAL ID：201803011639079080

タングステンのための化学機械研磨法

発明者：
リン-チェン・ホ

リン-チェン・ホ について

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ウェイ-ウェン・ツァイ

ウェイ-ウェン・ツァイ について

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チェン-ピン・リー

チェン-ピン・リー について


出願人/特許権者：
ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド

ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 特許業務法人 津国
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-012177
公開番号（公開出願番号）：特開2018-129508
出願日： 2018年01月29日
公開日（公表日）： 2018年08月16日
要約：
【課題】タングステンのディッシング及び下層の絶縁材料のエロージョンを抑制し、かつ、コロージョン速度をも低減する、タングステンのためのCMP研磨法及び組成物を提供する。【解決手段】基材を提供する工程と、初期成分として、水、酸化剤、チオールアルコキシ化合物、ジカルボン酸、鉄イオンの供給源、コロイダルシリカ砥粒及び任意選択でpH調整剤を含有する研磨組成物を提供する工程と、研磨面を有する化学機械研磨パッドを提供する工程と、研磨パッドと基材との間の界面で動的接触を生じさせる工程と、研磨面上、研磨パッドと基材との間の界面又はその近くに研磨組成物を計量分配する工程と、を含む。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
タングステン及び絶縁体を含む基材を提供する工程; 初期成分として、 水; 酸化剤; チオールアルコキシ化合物; コロイダルシリカ砥粒; ジカルボン酸; 鉄(III)イオンの供給源;及び 任意選択でpH調整剤 を含む化学機械研磨組成物を提供する工程; 研磨面を有する化学機械研磨パッドを提供する工程; 前記化学機械研磨パッドと前記基材との間の界面で動的接触を生じさせる工程;並びに 前記化学機械研磨パッドの前記研磨面上、前記化学機械研磨パッドと前記基材との間の前記界面又はその近くに前記化学機械研磨組成物を計量分配して前記タングステンの少なくともいくらかを除去する工程 を含む、タングステンを化学機械研磨する方法。
IPC (7件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/10 ,  B24B 37/24 ,  B24B 37/22 ,  C09K 3/14 ,  C09G 1/02
FI (11件)：
H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  H01L21/304 622R ,  H01L21/304 622F ,  B24B37/00 H ,  B24B37/10 ,  B24B37/24 C ,  B24B37/22 ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z ,  C09G1/02
Fターム (37件)：
3C158AA07 ,  3C158AA19 ,  3C158CA04 ,  3C158CB01 ,  3C158DA02 ,  3C158DA12 ,  3C158DA17 ,  3C158EA11 ,  3C158EB01 ,  3C158EB22 ,  3C158EB29 ,  3C158EC08 ,  3C158ED02 ,  3C158ED10 ,  3C158ED23 ,  3C158ED26 ,  5F057AA09 ,  5F057AA28 ,  5F057BA15 ,  5F057BB25 ,  5F057CA12 ,  5F057DA03 ,  5F057EA01 ,  5F057EA07 ,  5F057EA17 ,  5F057EA21 ,  5F057EA22 ,  5F057EA26 ,  5F057EA29 ,  5F057EA32 ,  5F057EB03 ,  5F057EB04 ,  5F057EB06 ,  5F057EB09 ,  5F057EB27 ,  5F057FA39 ,  5F057GA15
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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