特許
J-GLOBAL ID：201403067389318348

シリコン含有基材を研磨するための方法及び組成物

発明者：
デ レゲ セサウロ,フランチェスコ

デ レゲ セサウロ,フランチェスコ について

, 
チェン,チャン

チェン,チャン について


出願人/特許権者：
キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション

キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  蛯谷 厚志 ,  胡田 尚則 ,  出野 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-152992
公開番号（公開出願番号）：特開2014-209662
出願日： 2014年07月28日
公開日（公表日）： 2014年11月06日
要約：
【課題】シリコン含有基材を研磨するための化学機械研磨(CMP)組成物及び方法を提供すること。【解決手段】本発明の方法は、シリコン含有基材を研磨パッド及び水性CMP組成物と接触させるステップと、基材の少なくとも一部を研削するために、CMP組成物の一部と基材の表面との接触を維持しつつ、研磨パッドと基材との間の相対的運動を引起こすステップとを含む。CMP組成物は、セリア研削材、4〜9のpKaを有する官能基を保持する研磨添加剤、親水性部分及び親油性部分を有しており、親水性部分が500g/mol以上の数平均分子量を有する非イオン性界面活性剤、及び水性担体を含んでおり、組成物のpHは7以下である。本方法は、ウエハの欠陥、特に高除去局所領域を低減する。本方法は、半導体シリコン含有基材と比べて高速で、誘電性シリコン含有基材を研磨するのにも有用である。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
シリコン含有基材を研磨するための化学機械研磨(CMP)法であって、 (a)シリコン含有基材の表面を、研磨パッド並びに (i)水性担体、 (ii)セリア研削材、 (iii)4〜9のpKaを有する官能基を保持する研磨添加剤、及び (iv)親水性部分及び親油性部分を有し、前記親水性部分が500g/mol以上の数平均分子量を有する非イオン性界面活性剤、 を含むCMP組成物と接触させるステップであって、 前記CMP組成物のpHが7以下であるステップと、 (b)前記基材の表面の少なくとも一部を研削するために、前記CMP組成物の一部と前記基材との接触を維持しつつ、前記研磨パッドと前記基材との間の相対運動を引起こし、それにより前記基材を研磨するステップと、 を含む方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 ,  C09G 1/02
FI (6件)：
H01L21/304 621D ,  H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z ,  C09G1/02
Fターム (30件)：
3C158AA07 ,  3C158CB01 ,  3C158CB10 ,  3C158DA02 ,  3C158DA12 ,  3C158DA17 ,  3C158EA11 ,  3C158EB01 ,  3C158ED01 ,  3C158ED04 ,  3C158ED11 ,  3C158ED22 ,  3C158ED23 ,  3C158ED26 ,  5F057AA03 ,  5F057AA14 ,  5F057AA17 ,  5F057AA28 ,  5F057BA18 ,  5F057BB16 ,  5F057BB37 ,  5F057CA12 ,  5F057DA03 ,  5F057EA09 ,  5F057EA16 ,  5F057EA17 ,  5F057EA26 ,  5F057EA27 ,  5F057EA29 ,  5F057EA32
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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