特許

J-GLOBAL ID：201803011828535460

スパッタリングターゲット部材

発明者： 佐藤 洋介 ,  磯田 佳範 ,  勝田 祐司
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-545646
特許番号：特許第6279482号
出願日： 2013年10月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 マグネシウム、ガリウム、リチウム及び酸素を主成分とするセラミックス材料であって、酸化マグネシウムに酸化ガリウム及び酸化リチウムが固溶した固溶体の結晶相を主相とし、 出発原料に含まれるマグネシウム、ガリウム、リチウムを含む化合物をそれぞれ酸化マグネシウム(MgO)、酸化ガリウム(Ga2O3)、酸化リチウム(Li2O)に換算し 、これらの合計を100mol%としたときに、酸化マグネシウムが90.0mol%以上99.8mol%以下、酸化ガリウムが0.1mol%以上5.0mol%以下、酸化リチウムが0.1mol%以上5.0mol%以下の範囲であるセラミックス材料からなる、スパッタリングターゲット部材。

IPC (6件)：

C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  C04B 35/053 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8239 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 29/82 ( 200 6.01) ,  H01L 43/12 ( 200 6.01)

FI (5件)：

C23C 14/34 A ,  C04B 35/053 ,  H01L 27/105 447 ,  H01L 29/82 Z ,  H01L 43/12

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭57-202603
  
• トンネル磁気抵抗素子、不揮発性磁気メモリ、発光素子および3端子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-129097   出願人：国立大学法人東北大学
• 磁気抵抗効果素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-259280   出願人：キヤノンアネルバ株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 特開昭48-010044
  

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-202603
  
• トンネル磁気抵抗素子、不揮発性磁気メモリ、発光素子および3端子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-129097   出願人：国立大学法人東北大学
• 磁気抵抗効果素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-259280   出願人：キヤノンアネルバ株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 特開昭48-010044
  

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Disorder-activated Raman spectra of cubic rocksalt-type Li(1-x)/2Ga(1-x)2MxO(M=Mg,Zn) alloys

審査官引用 (2件)

• Disorder-activated Raman spectra of cubic rocksalt-type Li(1-x)/2Ga(1-x)2MxO(M=Mg,Zn) alloys
• Disorder-activated Raman spectra of cubic rocksalt-type Li(1-x)/2Ga(1-x)2MxO(M=Mg,Zn) alloys