特許
J-GLOBAL ID：200903007503752417

磁気抵抗効果素子およびその製造方法

発明者：
ダビット ジャヤプラウィラ

ダビット ジャヤプラウィラ について

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恒川 孝二

恒川 孝二 について

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長井 基将

長井 基将 について

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前原 大樹

前原 大樹 について

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山形 伸二

山形 伸二 について

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渡辺 直樹

渡辺 直樹 について

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湯浅 新治

湯浅 新治 について


出願人/特許権者：
キヤノンアネルバ株式会社

キヤノンアネルバ株式会社 について

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独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-259280
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080116
出願日： 2004年09月07日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】 高いMR比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 この磁気抵抗効果素子(TMR素子10)は、一対の強磁性層とそれらの中間に位置するバリア層とから成る積層構造(TMR素子部12)を含むものであり、少なくとも一方の上記強磁性層は、少なくともバリア層に接する部分がアモルファス物質状態を有し、上記バリア層は単結晶構造を有するMgO層である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一対の強磁性層とそれらの中間に位置するバリア層とから成る積層構造を含む磁気抵抗効果素子であって、 少なくとも一方の前記強磁性層の少なくとも前記バリア層に接する部分がアモルファス状態であり、前記バリア層は単結晶構造を有するMgO層であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (6件)：
H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  G11B5/39 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447
Fターム (6件)：
5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083PR22
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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