半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-172030
公開番号（公開出願番号）：特開2018-046276
出願日： 2017年09月07日
公開日（公表日）： 2018年03月22日
要約：

【課題】半導体装置において、ダイアタッチ部における耐熱信頼性と、樹脂モールド部における耐熱信頼性とを両立させること。【解決手段】半導体装置(1)は、半導体素子(2)と、鉄族元素である第一成分とクロム以外の周期表第5族又は第6族遷移金属元素である第二成分とを含有するメタライズ層(34)を最表面(35)に有する金属部材であって前記最表面が前記半導体素子と対向するように配置された支持体(3)と、前記支持体の前記最表面と前記半導体素子との間に配置されていて前記最表面に接合されることで前記半導体素子を前記支持体に固定するように設けられた接合材(4)と、前記支持体と前記接合材と前記半導体素子との接合体(S)を覆うように設けられたモールド樹脂(6)と、を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体装置(1)であって、半導体素子(2)と、鉄族元素である第一成分とクロム以外の周期表第5族又は第6族遷移金属元素である第二成分とを含有するメタライズ層(34)を最表面(35)に有し、前記最表面が前記半導体素子と対向するように配置された支持体(3)と、前記支持体の前記最表面と前記半導体素子との間に配置されていて、前記最表面に接合されることで前記半導体素子を前記支持体に固定するように設けられた接合材(4)と、前記支持体と前記接合材と前記半導体素子との接合体(S)を覆うように設けられたモールド樹脂(6)と、を備えた、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 21/52

FI (3件)：

H01L23/36 A , H01L23/30 R , H01L21/52 A

Fターム (13件)：

4M109AA01 , 4M109DB03 , 4M109EA02 , 4M109EA07 , 4M109EC09 , 4M109ED03 , 5F047AA03 , 5F047BA15 , 5F136BB18 , 5F136DA27 , 5F136FA01 , 5F136FA03 , 5F136FA06

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平4-211153
半導体モジュールおよびそれを備えた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-174776 出願人：株式会社デンソー
被覆金属製品
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-136121 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

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審査官引用 (4件)

特開平4-211153
特開平4-211153
半導体モジュールおよびそれを備えた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-174776 出願人：株式会社デンソー

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