特許
J-GLOBAL ID：201803012213342138
パターン形成体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野田 茂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-026556
公開番号（公開出願番号）：特開2014-157853
特許番号：特許第6264727号
出願日： 2013年02月14日
公開日（公表日）： 2014年08月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板の表面に微細なパターンを形成してなるパターン形成体の製造方法であって、
前記基板の表面に第1のハードマスク層を形成する工程と、
前記第1のハードマスク層上に第2のハードマスク層を形成する工程と、
前記第2のハードマスク層上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層にインプリント法によりパターニングを行って樹脂パターンを形成する工程と、
前記樹脂パターンの形成時に生じた前記樹脂層の残膜を除去した後、前記樹脂パターンをエッチングマスクとして前記第2のハードマスク層をエッチングし第2のハードマスクパターンを形成する工程と、
前記第2のハードマスクパターンをエッチングマスクとして前記第1のハードマスク層をエッチングし第1のハードマスクパターンを形成する工程と、
前記第2のハードマスクパターンを除去した後、前記第1のハードマスクパターンをエッチングマスクとして前記基板をエッチングし、さらに前記基板のエッチング後に前記第1のハードマスクパターンを剥離して、パターニングされた基板を得る工程とを備え、
前記基板はニオブ酸リチウムからなり、前記第1のハードマスク層はクロムからなり、
前記第2のハードマスク層はシリコンからなる
ことを特徴とするパターン形成体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, B29C 59/02 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
H01L 21/30 502 D
, B29C 59/02 B
, H01L 21/302 105 A
, H01L 21/302 104 Z
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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