特許
J-GLOBAL ID：201803012448954580

レギュレータ回路および半導体集積回路装置

発明者：
中久保 敦

中久保 敦 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (4件)： 青木 篤 ,  伊坪 公一 ,  河野 努 ,  宮本 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-130989
公開番号（公開出願番号）：特開2018-005525
出願日： 2016年06月30日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：
【課題】待機状態における消費電流の増加、或いは、回路面積の増大や複雑化を来すことなく、安定した出力電位を生成できるレギュレータ回路および半導体集積回路装置の提供を図る。【解決手段】入力電位Vinを降圧して出力電位Voを出力ノードNoに出力する第1トランジスタ10と、基準電位Vsを受け取りイネーブル信号ENの状態に基づいて出力電位を検出し第1トランジスタのゲート電位を制御してその出力量を調整する第1検出器1と、入力電位を降圧して出力電位に相当する内部電位Vosを出力ノードNoに出力する第2トランジスタ20と、参照電位Vrを受け取りイネーブル信号の状態に関わらず内部電位を検出し第2トランジスタのゲート電位を制御してその出力量を調整する第2検出器21と、参照電位を第1検出器の基準電位として出力するか否かを制御する第1スイッチ31と、出力ノードの電位を第1検出器の基準電位として出力するか否かを制御する第2スイッチ32と、を有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
入力電位を降圧して、出力電位を出力ノードに出力する第1導電型の第1トランジスタと、 基準電位を受け取り、イネーブル信号の状態に基づいて前記出力電位を検出し、前記第1トランジスタのゲート電位を制御して、その出力量を調整する第1検出器と、 前記入力電位を降圧して、前記出力電位に相当する内部電位を前記出力ノードに出力する前記第1導電型の第2トランジスタと、 参照電位を受け取り、前記イネーブル信号の状態に関わらず、前記内部電位を検出し、前記第2トランジスタのゲート電位を制御して、その出力量を調整する第2検出器と、 前記参照電位を、前記第1検出器の前記基準電位として出力するか否かを制御する第1スイッチと、 前記出力ノードの電位を、前記第1検出器の前記基準電位として出力するか否かを制御する第2スイッチと、を有する、 ことを特徴とするレギュレータ回路。
IPC (1件)：
G05F 1/56
FI (2件)：
G05F1/56 310A ,  G05F1/56 310K
Fターム (11件)：
5H430BB01 ,  5H430BB05 ,  5H430BB09 ,  5H430BB11 ,  5H430EE06 ,  5H430FF01 ,  5H430FF13 ,  5H430GG05 ,  5H430HH03 ,  5H430JJ07 ,  5H430KK11
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 基準電圧発生回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-299491   出願人：日本電気株式会社
  • 電源回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-145715   出願人：ローム株式会社
  • 定電圧発生回路及びPLL回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-361386   出願人：旭化成マイクロシステム株式会社

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