特許
J-GLOBAL ID：201803012549157126
横方向拡散金属酸化物半導体電界効果トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山尾 憲人
, 柳橋 泰雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-527941
公開番号（公開出願番号）：特表2018-535559
出願日： 2016年08月25日
公開日（公表日）： 2018年11月29日
要約：
横方向拡散金属酸化物半導体電界効果トランジスタが、基板(110)と、ゲートと、ソース(150)と、ドレイン(140)と、ボディ領域(160)と、ソース(150)とドレイン(140)の間のフィールド酸化物領域(170)と、基板(110)上の第1のウェル領域(122)及び第2のウェル領域(124)と、を備える。ゲートの下の第2のウェル領域(124)は、複数のゲートドープ領域(184)が設けられ、ゲートのポリシリコンゲート(182)は、マルチセグメント構造であり、それぞれのセグメントは、他から分離され、それぞれのゲートドープ領域は、ポリシリコンゲート(182)のそれぞれのセグメントの間の間隙の下に配置される。ゲートドープ領域(184)のそれぞれは、ゲートドープ領域のどちらの面においても、2つの多結晶シリコンゲート(182)のセグメントの中から、ソース(150)と最も近い方向のセグメントと電気的に接続される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、ゲートと、ソースと、ドレインと、ボディ領域と、ソースとドレインの間に配置されたフィールド酸化物領域と、基板に形成された第1のウェル領域及び第2のウェル領域と、を備える、横方向拡散金属酸化物半導体電界効果トランジスタであって、
第1のウェル領域は、第1の導電型を備え、第2のウェル領域は、第2の導電型を備え、第1の導電型と第2の導電型は反対の導電型であり、
ソース及びボディ領域は、第2のウェル領域に配置され、
ドレインは、第1のウェル領域に配置され、
ゲートの下の第2のウェル領域は、第2のウェル領域に複数の第1の導電型のゲートドープ領域が設けられ、
ゲートのポリシリコンゲートは、マルチセグメント構造を有し、
セグメントは、お互いから分離され、
ゲートドープ領域のそれぞれは、ポリシリコンゲートの2つのセグメントの間の間隙の下に配置され、
ゲートドープ領域のそれぞれは、ゲートドープ領域の両側面に配置された、ポリシリコンゲートの2つのセグメントの1つである、ソースと隣接するポリシリコンゲートのセグメントと電気的に連結される、横方向拡散金属酸化物半導体電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/78 301S
, H01L29/78 301D
5F140AC21
, 5F140BC06
, 5F140BD19
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF46
, 5F140BH12
, 5F140BH17
, 5F140BH30
, 5F140BH41
, 5F140BH43
, 5F140BH49
, 5F140CB08
, 5F140CD09
