特許
J-GLOBAL ID：201803012585733702

赤外線検知素子

発明者：
町長 賢一

町長 賢一 について

, 
猪口 康博

猪口 康博 について

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河原 孝彦

河原 孝彦 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  ▲高▼木 邦夫 ,  寺澤 正太郎 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-118154
公開番号（公開出願番号）：特開2017-224681
出願日： 2016年06月14日
公開日（公表日）： 2017年12月21日
要約：
【課題】キャリアを生成する受光領域を光入射エリアに提供すると共に、該受光領域によって生成されたキャリアを流すための半導体領域をフォトダイオードアレイに設ける赤外線検知素子を提供する。【解決手段】赤外線検知素子は、支持体と、支持体上にアレイ状に設けられたフォトダイオードとを含み、フォトダイオードの各々は、第1導電型を有する第1半導体層を含む第1メサと、第1導電型を有する第2半導体層と、第1半導体層と第2半導体層との間においてフォトダイオードのアレイに共通に設けられ、第1導電型と異なる第2導電型を有する第3半導体層と、フォトダイオードのアレイに共通に基準面に沿って設けられ、構成元素としてアンチモンを含む半導体を含む超格子領域と、を備え、第1メサ及び第2半導体層は基準面に交差する第1軸の方向に配列され、第2半導体層は、第3半導体層と超格子領域との間に設けられる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
赤外線検知素子であって、 支持体と、 前記支持体上にアレイ状に設けられたフォトダイオードと、 を含み、 前記フォトダイオードの各々は、 第1導電型を有する第1半導体層を含む第1メサと、 前記第1導電型を有する第2半導体層と、 前記第1半導体層と前記第2半導体層との間において前記フォトダイオードのアレイに共通に設けられ、前記第1導電型と異なる第2導電型を有する第3半導体層と、 前記フォトダイオードのアレイに共通に基準面に沿って設けられ、構成元素としてアンチモンを含む半導体を含む超格子領域と、 を備え、 前記第1メサ及び第2半導体層は、前記基準面に交差する第1軸の方向に配列され、 前記第1メサの高さは、前記第1半導体層の厚さより大きく、 前記第2半導体層は、前記第3半導体層と前記超格子領域との間に設けられる、赤外線検知素子。
IPC (3件)：
H01L 31/10 ,  H01L 31/024 ,  H01L 27/144
FI (3件)：
H01L31/10 A ,  H01L31/08 K ,  H01L27/14 K
Fターム (28件)：
4M118AB01 ,  4M118BA19 ,  4M118CA03 ,  4M118CB01 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118GA02 ,  4M118GA10 ,  4M118HA22 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  5F849AA01 ,  5F849AA02 ,  5F849AA03 ,  5F849AB07 ,  5F849CB03 ,  5F849CB14 ,  5F849DA02 ,  5F849DA35 ,  5F849EA02 ,  5F849EA03 ,  5F849EA04 ,  5F849LA01 ,  5F849XB24 ,  5F849XB34
引用特許：
出願人引用 (3件)

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